Die PCEVBUM2878 und PCEVBUM2880 sind Evaluierungsboards, die für die Evaluierung der 1200V M3S Vollbrücke (PCEVBUM2878) und Halbbrücke (PCEVBUM2880) Siliziumkarbid-Leistungsmodule von onsemi entwickelt wurden.
Der Zweck des Evaluation Boards ist der Doppelpuls-Schalttest und der Open-Loop-Leistungstest von onsemi-Vollbrückenmodulen.
1200 V M3S 2er- und 4er-Pack SiC-MOSFET-Modul-Bewertungsplatinen
Diese Produkte nutzen die SiC M3S-Technologie, um schnell und robust zu sein, und bieten Systemvorteile von hoher Effizienz bis hin zu reduzierter Systemgröße und -kosten.
Die 2-Pack- und 4-Pack-Module werden von isolierten Einzel-Gate-Treibern gesteuert, die eine 2,5 kV RMS-Isolierung zwischen der Primär- und der Sekundärseite bieten. Eine isolierte DC/DC-Quelle liefert die Gate-Treiberspannung. Das Board verfügt über einen integrierten DC-Zwischenkreis mit der Möglichkeit, verschiedene Arten von Folienkondensatoren einzubauen. Außerdem kann die Evaluierungsplatine an einen externen Controller angeschlossen werden, der PWM-Eingänge bereitstellt und Fehlersignale verwaltet.
Eigenschaften
- 4 Lagen FR4-Leiterplatte mit 70 μm Kupferdicke
- Hoher thermischer Emissionsgrad - schwarze PCB-Farbe
- 4 isolierte Single-Gate-Treiber mit 2,5 kV-Isolierung
- Anschlussbasis für Eingangs- und Ausgangssignale
- Integrierter Film-DC-Zwischenkreis
- Befestigungslöcher für den Anschluss von Rogowski-Spule und Messfühlern
- PCB-Layout mit niedriger Induktivität
Anwendungen
Diese Produkte werden in Energieinfrastrukturanwendungen wie PV-Wechselrichtern, USV oder EV-Ladegeräten eingesetzt, um die Effizienz und Leistungsdichte im Vergleich zu IGBT- oder Super Junction MOSFET-Lösungen zu verbessern.
Benutzerhandbücher
Die unten aufgeführten Benutzerhandbücher beschreiben die Funktion der Platine, das Platinenlayout und die Beschreibung der Anwendungstests. Sie enthalten Details zum Layout, zu den Schaltplänen und zur Materialliste.
Bewertungstafeln | Teil Nummer | 4PACK-Module
| Verfügbarkeit
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 Vollständige Brücke PCEVBUM2878 | NXH011F120M3F2P | Siliziumkarbid (SiC) Modul, EliteSiC, 11 mohm, 1200 V, SiC M3S MOSFET, Vollbrücke, F2 Gehäuse | Bestellen / Mehr erfahren |
NXH007F120M3F2PTHG | Siliziumkarbid (SiC) Modul - EliteSiC, 7 mohm, 1200 V, SiC M3S MOSFET, Vollbrücke, F2 Gehäuse | Bestellen / Mehr erfahren | |
Halbe Brücke PCEVBUM2880 | NXH008P120M3F1PTG | Siliziumkarbid (SiC) Modul, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Halbbrückentopologie, F1-Gehäuse | Bestellen / Mehr erfahren |
NXH010P120M3F1PTG | Siliziumkarbid (SiC) Modul, 10 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Halbbrückentopologie, F1-Gehäuse | Bestellen / Mehr erfahren | |
NXH015P120M3F1PTG | Siliziumkarbid (SiC) Modul 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Halbbrückentopologie, F1 Gehäuse | Bestellen / Mehr erfahren | |
NXH030P120M3F1PTG | Siliziumkarbid (SiC) Modul 30 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Halbbrückentopologie, F1 Gehäuse | Bestellen / Mehr erfahren |
HINWEIS: Die Tafeln dürfen nur in einer Laborumgebung verwendet werden und müssen von geschultem Personal bedient werden, das in allen Sicherheitsstandards geschult ist. Bitte wenden Sie sich bitte an das Anwendungstechnik-Team von Richardson RFPD, um zu besprechen, wie diese Boards Sie bei der Evaluierung der von onsemi spezifizierten SiC-Module unterstützen können.
Zusätzliche onsemi Technologie
