Vollständige Siliziumkarbid-Lösung für PFC und DC-DC-Stufe

Ausgestattet mit mehreren 1200V, 10mΩ Halbbrücken-SiC-Modulen
SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK - Vollständige SiC 25kW DC EV Ladegerät Plattform

SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK - Vollständige SiC 25kW DC EV Ladegerät Plattform

SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK ist ein Referenzdesign-Kit für einen 25kW Fast DC EV Charger basierend auf SiC Power Integrated Module Technologie. Diese SiC-Komplettlösung besteht aus PFC- und DC-DC-Stufen mit mehreren 1200V, 10-mohm-Halbbrücken-SiC-Modulen NXH010P120MNF1Durch den ultraniedrigen RDS(on) und die minimierte parasitäre Induktivität können Leitungsverluste und Schaltverluste erheblich reduziert werden.

SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK von onsemi

Basierend auf dem leistungsstarken Universal Controller Board (UCB) mit Zynq®-7000 SoC FPGA und ARM®-basiertem Prozessor kann das System maximal 25kW über 200V-1000V Ausgangsspannung mit 96% Gesamtwirkungsgrad liefern, um 400V oder 800V EV-Batterien zu laden. SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK hebt auch den galvanisch isolierten Hochstromtreiber NCD57000und die Hilfsstromlösung SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB zur Versorgung von Niederspannungskomponenten mit stabilen Spannungsschienen, integrierte Schutzfunktionen wie Einschaltkontrolle und Überspannungsschutz sowie mehrere Schnittstellen für die Kommunikation.

Technische Dokumentation

Eigenschaften

  • Vin=400Vac (EU)/480Vac (US),
  • Vout=200Vdc-1000Vdc
  • Maximale Ausgangsleistung=25kW, Wirkungsgrad>96%
  • Dreiphasen-PFC und DAB ermöglichen bidirektionale Leistungsumwandlung für 400V/800V-Batterien
  • Mehrere Schutzfunktionen und Kommunikationsschnittstellen
  • Gemäß EN55011 Klasse A und IEC 61851
  • Kompatibel mit dem Universal Controller Board (UCB) FPGA/ARM
  • NXH010P120MNF1 - SiC-Modul, Halbbrücke, 1200V, 10 mohm SiC M1 MOSFET
  • NCD57000 - Isolierter Gate-Treiber mit hohem Strom und hohem Wirkungsgrad

Anwendungen

  • Hocheffizientes EV-Ladegerät
  • Dreiphasige AC-DC-Wandlung

Ausbildung Medien

Zusätzliche Ressourcen

27. Februar 2025
Die PCEVBUM2878 und PCEVBUM2880 sind Evaluierungsboards, die für die Evaluierung der 1200V M3S Vollbrücke (PCEVBUM2878) und Halbbrücke (PCEVBUM2880) Siliziumkarbid-Leistungsmodule von onsemi entwickelt wurden.
Die Mittelspannungs-Leistungs-MOSFETs der Serie T10 von onsemi bieten mehrere Vorteile für schnell schaltende DC-DC- und Motorsteuerungsanwendungen.

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.