Geräte liefern hohe Leistung, hohe PAE und hohe Linearität
Der proprietäre GH15-GaN-Prozess von United Monolithic Semiconductors ist bis zu 42 GHz optimiert und bietet hohe Leistung, hohe PAE und hohe Linearität, was ihn ideal für die Übertragung modulierter Wellenformen macht.
Die GaN-on-SiC-MMIC-Leistungsverstärker von UMS werden im Die- und Kunststoff-QFN-Gehäuse angeboten und sind in einer Vielzahl von Leistungsstufen erhältlich, um die Ka-Band-SATCOM-Uplink- und 5G-FR2-Bänder n257, n258, n259 (teilweise), n260 und n261 zu unterstützen.
Nachstehend sind die standardmäßig verfügbaren Ka-Band MMIC-Verstärker aufgeführt. Kontaktieren Sie Richardson RFPD für weitere Informationen oder um Muster oder eine Evaluierungsplatine anzufordern. Kundenspezifische Anpassungen, fortschrittliches Packaging und Foundry-Services sind ebenfalls verfügbar.
Ka-Band GaN-on-SiC MMIC RF-Leistungsverstärker von UMS GaN
GaN PA Teilenummer | Frequenzbereich (GHz) | Psat (dBm) | Verstärkung (dB) | Wirkungsgrad (%) | Drain-Spannung (V) | Paket Typ | CHA6682-98F/00 |  | 24-27.5 | 37 | 25 | 32 | 20 | Die | Mehr erfahren |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHA8362-99F/00 |  |  | 26.5-31 | 44 | 25 | 30 | 25 | Die | Mehr erfahren |
CHA6357-QKB/20 |  | 27-31 | 36 | 28 | 20 | 20 | Kunststoff SMT | Mehr erfahren | |
CHA8262-99F/00 | |  | 27.5-31.5 | 41 | 24 | 25 | 20 | Die | Mehr erfahren |
CHA6094-QKB/20 | |  | 35-42.5 | 33 | 26 | 13 | 27 | Kunststoff SMT | Mehr erfahren |
CHA6095-QKB/20 | |  | 35-42.5 | 36 | 25 | 12 | 27 | Kunststoff SMT | Mehr erfahren |
CHA7452-99F/00 |  | 35.5-40.5 | 39.5 | 29 | 24 | 20 | Die | Mehr erfahren | |
CHA7453-99F/00 |  | 37.5-41.5 | 39.5 | 28 | 22 | 20 | Die | Mehr erfahren | |
CHA7455-99F/00 | | 39.5-42.5 | 39.5 | 32 | 24 | 20 | Die | Mehr erfahren |
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