Dispositivos de alta potencia, alta PAE y alta linealidad
El proceso GH15 GaN patentado por United Monolithic Semiconductors está optimizado hasta 42 GHz, lo que proporciona alta potencia, alta PAE y alta linealidad, y lo hace ideal para transmitir formas de onda moduladas.
Los amplificadores de potencia UMS GaN-on-SiC MMIC, disponibles en matriz y en envase QFN de plástico, están disponibles en diversos niveles de potencia para soportar el enlace ascendente SATCOM en banda Ka y las bandas 5G FR2 n257, n258, n259 (parcial), n260 y n261.
A continuación se enumeran los amplificadores MMIC de banda Ka estándar disponibles. Póngase en contacto con Richardson RFPD para obtener información adicional o solicitar muestras o una placa de evaluación. También disponemos de servicios de personalización, embalaje avanzado y fundición.
Amplificadores de potencia RF MMIC GaN-on-SiC de banda Ka de UMS GaN
GaN PA Número de pieza | Gama de frecuencias (GHz) | Psat (dBm) | Ganancia (dB) | Eficacia (%) | Tensión de drenaje (V) | Tipo de envase | CHA6682-98F/00 |  | 24-27.5 | 37 | 25 | 32 | 20 | Muere | Más información |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHA8362-99F/00 |  |  | 26.5-31 | 44 | 25 | 30 | 25 | Muere | Más información |
CHA6357-QKB/20 |  | 27-31 | 36 | 28 | 20 | 20 | Plástico SMT | Más información | |
CHA8262-99F/00 | |  | 27.5-31.5 | 41 | 24 | 25 | 20 | Muere | Más información |
CHA6094-QKB/20 | |  | 35-42.5 | 33 | 26 | 13 | 27 | Plástico SMT | Más información |
CHA6095-QKB/20 | |  | 35-42.5 | 36 | 25 | 12 | 27 | Plástico SMT | Más información |
CHA7452-99F/00 |  | 35.5-40.5 | 39.5 | 29 | 24 | 20 | Muere | Más información | |
CHA7453-99F/00 |  | 37.5-41.5 | 39.5 | 28 | 22 | 20 | Muere | Más información | |
CHA7455-99F/00 | | 39.5-42.5 | 39.5 | 32 | 24 | 20 | Muere | Más información |
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