JFET en carbure de silicium de l'onsemi
SiC JFET
- JFET SiC normalement activé
- RDS le plus bas disponible sur
- VGS à l'état passant directement proportionnel à
Tj → dispositif de puissance idéal à autosurveillance - 1700 V, RDS(on) ... 400 mΩ
- 1200 V, RDS(on) ... 7,1 mΩ - 70 mΩ
- 750 V, RDS(on) ... 4,3 mΩ - 4,8 mΩ
- Application cible : Disjoncteurs,
Applications de limitation de courant
SiC Cascode JFET
- 2 puces dans une cascade empaquetée
- Remplacement Pick and Place pour
standard normally-off MOSFET - RDS ultra faible activé, courant d'impulsion élevé
- 1700 V, RDS(on) ... 410 mΩ
- 1200 V, RDS(on) ... 9 mΩ - 410 mΩ
- 650 V, RDS(on) ... 7 mΩ - 85 mΩ
- Application cible : Alimentation,
Onduleurs, Chargeurs, Convertisseurs DC-DC
SiC Combo JFET
- 2 puces dans 1 boîtier → Combo JFET
- Accès séparé aux portes MOSFET et JFET
→ meilleur contrôle du dV/dt de commutation - RDS(on) très faible, courant d'impulsion élevé
- 1200 V, RDS(on) ≤ 10 mΩ
- 750 V, RDS(on) ... 5 mΩ - 10 mΩ
- Application cible : Circuit à semi-conducteurs
disjoncteur, interrupteurs de déconnexion
JFET SiC
onsemi propose des JFET SiC, des JFET SiC Cascode et des JFET SiC Combo, chaque type ayant ses caractéristiques uniques et convenant à différentes applications. Le JFET SiC permet au SSCB de fonctionner jusqu'à 175°C, ce qui est la limite des matériaux pour un boîtier ; le SiC est capable de résister à des températures encore plus élevées.
Gen4 - 750 V | Gen4 - 750 V | Gen4 - 750 V | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
 TO-247 (4L) |  TOLL |  Top Cool-TOLT | TO-247 (4L) |  Top Cool-TSOP |  D2PAK (7L) | |
JFET | UJ4N075005K4S 4 mΩ | UJ4N075004L8S 4 mΩ | NTBT004N075J4 4 mΩ | UF3N120007K4S 7 mΩ | UF3N170400B7S 400 mΩ | |
Combo-JFET | UG4SC075006K4S 5 mΩ | UG4SC075005L8S 5 mΩ | NTBT005N075SCBJ4 5 mΩ | |||
Combo-JFET | UG4SC075009K4S 9 mΩ | UG4SC120009K4SH 9 mΩ | ||||
Combo-JFET | UG4SC075011K4S 11 mΩ | |||||
- Produit en développement
Pourquoi choisir SiC JFET ou Combo JFET ?
L'opération la plus froide
- Perte de puissance la plus faible
- Option JFET : Normalement ON ou normalement OFF
Espace le plus petit
- Nombre minimal de pièces : Bilan thermique et parallélisme
- Puces empilées : deux puces dans un seul boîtier, "Combo JFET".
- Fonctions combinées : Détection de la température sur la puce
- Fonctions combinées : JFET ou Combo JFET comme capteur de courant
Fiable
- Tension nominale : 750V pour assurer la marge de sécurité nécessaire
- Robuste : commutation fiable
- Une construction simple
Facile à utiliser
- Méthode d'entraînement simple
Guide essentiel pour les ingénieurs qui développent des systèmes d'alimentation de nouvelle génération
Explorez le dernier guide de solutions système d'onsemi pour les applications de disjoncteurs à semi-conducteurs (SSCB), soutenu par Richardson RFPD. Découvrez des produits clés tels que les JFET SiC d'onsemi, qui offrent des performances supérieures à celles des MOSFET à super jonction. Profitez du large portefeuille de semi-conducteurs et de l'expertise technique d'onsemi pour les conceptions d'infrastructures industrielles, automobiles et énergétiques.
Pourquoi des disjoncteurs à semi-conducteurs ? (SSCBs)
Libérés des limites des bobines magnétiques, les commutateurs à semi-conducteurs fonctionnent des centaines de fois plus rapidement que les relais électromécaniques, interrompant le courant avant qu'il ne devienne dangereux. Sans pièces mécaniques, les commutateurs à semi-conducteurs peuvent effectuer un nombre illimité de cycles de connexion/déconnexion sans dégradation. Cette approche innovante remplace les pièces mobiles traditionnelles par des semi-conducteurs et des algorithmes logiciels avancés, ce qui permet d'interrompre plus rapidement les courants extrêmes. La technologie à semi-conducteurs garantit une interruption extrêmement rapide des défauts, en les éliminant en quelques microsecondes, contre quelques millisecondes pour les disjoncteurs mécaniques de même taille. Les semi-conducteurs à large bande interdite offrent des propriétés matérielles supérieures, ce qui permet aux dispositifs de puissance de fonctionner à des tensions, des températures et des taux de commutation plus élevés.
Électromécanique | État solide | |
|---|---|---|
Conception | Contient des pièces mobiles et des contacts | Utilise un semi-conducteur comme interrupteur |
Vitesse | Millisecondes | Microsecondes |
Durabilité | Usure mécanique | Durable |
Précision | Les limites sont fixées par le fabricant | Offrir un contrôle précis |
Arc électrique | Oui | Non |
Dissipation de puissance | Efficacité moindre | Efficacité accrue |
Dissipation de puissance | Oui | Non |
Disjoncteurs à semi-conducteurs et disjoncteurs électromécaniques traditionnels
On observe depuis peu une tendance à remplacer les disjoncteurs électromécaniques traditionnels par des disjoncteurs à semi-conducteurs pour protéger les équipements électroniques de puissance coûteux. Quelles sont les différences entre les disjoncteurs traditionnels et les disjoncteurs à semi-conducteurs ? Quels sont les avantages d'une conversion à l'état solide au niveau du système ? Quelles sont les ressources de conception disponibles pour aider les ingénieurs à développer leurs propres disjoncteurs à semi-conducteurs ? Ces questions et d'autres encore trouvent une réponse dans le chat technique de Richardson RFPD avec onsemi sur les disjoncteurs à semi-conducteurs par rapport aux disjoncteurs électromécaniques traditionnels.
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