La dernière tendance en matière de protection des circuits remplace les relais électromécaniques par des dispositifs de puissance à semi-conducteurs, connus sous le nom de disjoncteurs à semi-conducteurs (SSCB). Les SSCB sont meilleurs que les disjoncteurs mécaniques traditionnels parce qu'ils réagissent plus rapidement, sont plus fiables et sont configurables. Contrairement aux disjoncteurs mécaniques, les SSCB utilisent des dispositifs à semi-conducteurs pour couper le courant en quelques microsecondes, ce qui minimise les dommages et réduit les risques d'incendie. Les semi-conducteurs en carbure de silicium offrent des propriétés matérielles supérieures, permettant aux dispositifs de puissance de fonctionner à des tensions, des températures et des taux de commutation plus élevés. Dans le cas des SSCB, ce Tech Chat passe en revue les différences entre les SiC MOSFETs et les SiC JFETs et ce qui est préférable pour cette application. Le portefeuille de SiC JFETs de Richardson RFPD d'onsemi est également discuté, y compris le positionnement des SiC JETs par rapport aux SiC Cascode JFETs par rapport aux SiC Combo JFETs dans les applications SSCBs.
Les participants :
- Ray Ragonese, ingénieur technico-commercial, Richardson RFPD
- Brandon Becker, responsable marketing pour les JFET en carbure de silicium, onsemi
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