Les dispositifs offrent une puissance, un rendement énergétique et une linéarité élevés.
Le processus GH15 GaN de United Monolithic Semiconductors est optimisé jusqu'à 42 GHz, offrant une puissance, un PAE et une linéarité élevés, ce qui le rend idéal pour la transmission de formes d'ondes modulées.
Proposés dans des boîtiers QFN à puce ou en plastique, les amplificateurs de puissance MMIC GaN-sur-SiC d'UMS sont disponibles dans une variété de niveaux de puissance pour prendre en charge la liaison montante SATCOM en bande Ka et les bandes FR2 5G n257, n258, n259 (partielle), n260 et n261.
Vous trouverez ci-dessous la liste des amplificateurs MMIC en bande Ka disponibles en standard. Contactez Richardson RFPD pour plus d'informations ou pour demander des échantillons ou une carte d'évaluation. Des services de personnalisation, de conditionnement avancé et de fonderie sont également disponibles.
Amplificateurs de puissance RF MMIC GaN-sur-SiC en bande Ka d'UMS GaN
GaN PA Numéro de pièce | Gamme de fréquences (GHz) | Psat (dBm) | Gain (dB) | Efficacité (%) | Tension de drainage (V) | Type d'emballage | CHA6682-98F/00 |  | 24-27.5 | 37 | 25 | 32 | 20 | Mourir | En savoir plus |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHA8362-99F/00 |  |  | 26.5-31 | 44 | 25 | 30 | 25 | Mourir | En savoir plus |
CHA6357-QKB/20 |  | 27-31 | 36 | 28 | 20 | 20 | Plastique SMT | En savoir plus | |
CHA8262-99F/00 | |  | 27.5-31.5 | 41 | 24 | 25 | 20 | Mourir | En savoir plus |
CHA6094-QKB/20 | |  | 35-42.5 | 33 | 26 | 13 | 27 | Plastique SMT | En savoir plus |
CHA6095-QKB/20 | |  | 35-42.5 | 36 | 25 | 12 | 27 | Plastique SMT | En savoir plus |
CHA7452-99F/00 |  | 35.5-40.5 | 39.5 | 29 | 24 | 20 | Mourir | En savoir plus | |
CHA7453-99F/00 |  | 37.5-41.5 | 39.5 | 28 | 22 | 20 | Mourir | En savoir plus | |
CHA7455-99F/00 | | 39.5-42.5 | 39.5 | 32 | 24 | 20 | Mourir | En savoir plus |
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