堅牢で大電流対応のT10パワーMOSFET

より効率的で強力、信頼性の高いシリコンMOSFETソリューション
RFPD
オンセミPowerTrench® MOSFET（T10）テクノロジー

オンセミPowerTrench® MOSFET（T10）テクノロジー

オンセミのT10シリーズ中耐圧パワーMOSFETは、高速スイッチングDC-DCおよびモーター制御アプリケーション向けに、高電力損失、強化された熱性能、高電力密度設計向けの小型フットプリントなど、いくつかの利点を提供します。

より効率的に、よりパワフルに、より確実に テクノロジー

より高い電力密度を実現

従来の技術に対して30％～40％の消費電力削減

スイッチング損失の削減と効率の向上

Qg、Qsw、Qossの2倍低減

リンギング、オーバーシュート、EMI/ノイズの低減

よりソフトな回復ダイオードとより低いQrr

より高い信頼性と堅牢性を実現

10%高いUIS能力

T10最適化 - テクノロジー

T10S高速スイッチングDC-DCアプリケーション

  • FOMの改善
  • 高効率 低Qg
  • 駆動損失が少ない Qswが低い
  • スイッチング損失の低減
  • 低いQoss - 充放電ロスが少ない
  • 低いQrr - 逆回復ロスが少ない
  •  
エンジニアに聞く

T10Mモーター制御アプリケーション

  • パラメトリック・バリエーションの最小化 RDS(on)の低下
  • 導通損失が少ない Qgが低い
  • 走行ロスが少ない
  • 優れたボディーの柔らかさ
  • 電圧スパイクが少ない 高いUIS能力
  • より信頼できる
エンジニアに聞く
品番
パッケージ
VDS(V)
VGS(V)
RDS(ON)Max (mΩ)
NTMFS0D5N04XL
SO8-FL 5×6
40
20
0.49
NTMFS0D7N04XL
SO8-FL 5×6
40
20
0.68
NTMFS0D9N04XL
SO8-FL 5×6
40
20
0.9
NTMFS0D4N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
0.42
NTMFS0D5N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
0.52
NTMFS0D7N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
0.7
NTMFS0D9N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
0.92
NTMFS1D1N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
1.1
NTMFS1D3N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
1.3
NTMFWS1D5N08X
SO8-FL 5×6
80
20
1.5
NTMFS2D1N08X
SO8-FL 5×6
80
20
2.1
NTMFS2D5N08X
SO8-FL 5×6
80
20
2.5
NTMFS3D0N08X
SO8-FL 5×6
80
20
3
NTMFS3D5N08X
SO8-FL 5×6
80
20
3.5
NTMFS4D0N08X
SO8-FL 5×6
80
20
4
NTBLS0D8N08X
トール 10×12
80
20
0.8

エネルギー・電力設計サポート

あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

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専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。
 
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