袩褉芯胁芯写褋褌胁械薪薪褘械 PCEVBUM2878和 PCEVBUM2880是专为评估 onsemi 的 1200V M3S 全桥 (PCEVBUM2878) 和半桥 (PCEVBUM2880) 碳化硅电源模块而设计的评估板。
评估板的目的是对 onsemi 全桥模块进行双脉冲开关测试和开环功率测试。
1200 V M3S 2 封装和 4 封装 SiC MOSFET 模块评估板
这些产品采用 SiC M3S 技术，具有速度快、坚固耐用的特点，并具有从高效率到缩小系统尺寸和降低成本的系统优势。
2 封装和 4 封装模块由隔离式单栅极驱动器管理，初级和次级侧之间的绝缘电压为 2.5 kV RMS。一个隔离的 DC/DC 源提供栅极驱动电压。电路板具有集成直流链路，可灵活地集成各种类型的薄膜电容器。此外，评估板还可连接到外部控制器，该控制器可提供 PWM 输入并管理故障信号。
特点
- 4 层 FR4 印刷电路板，铜厚 70 μm
- 高热发射率 - 黑色 PCB 颜色
- 4 个 2.5 kV 绝缘隔离单栅极驱动器
- 用于输入和输出信号的连接器底座
- 集成薄膜直流链路
- 用于连接罗戈夫斯基线圈和测量探头的安装孔
- 低电感印刷电路板布局
应用
这些产品用于光伏逆变器、UPS 或电动汽车充电器等能源基础设施应用，与 IGBT 或超级结 MOSFET 解决方案相比，可提高效率和功率密度。
用户手册
下面的用户手册介绍了电路板功能、电路板布局和应用测试说明。其中包括布局、原理图和物料清单的详细信息。
评估委员会 | 部件编号 | 4PACK 模块
| 可用性
|
NXH011F120M3F2P | 碳化硅 (SiC) 模块，EliteSiC，11 欧姆，1200 V，SiC M3S MOSFET，全桥，F2 封装 | 订购 / 了解更多 | |
NXH007F120M3F2PTHG | 碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC，7 欧姆，1200 V，SiC M3S MOSFET，全桥，F2 封装 | 订购 / 了解更多 | |
NXH008P120M3F1PTG | 碳化硅 (SiC) 模块，8 欧姆 SiC M3S MOSFET，1200 V，2 封装半桥拓扑结构，F1 封装 | 订购 / 了解更多 | |
NXH010P120M3F1PTG | 碳化硅 (SiC) 模块，10 欧姆 SiC M3S MOSFET，1200 V，2 封装半桥拓扑结构，F1 封装 | 订购 / 了解更多 | |
NXH015P120M3F1PTG | 碳化硅 (SiC) 模块 15 欧姆 SiC M3S MOSFET，1200 V，2 封装半桥拓扑结构，F1 封装 | 订购 / 了解更多 | |
NXH030P120M3F1PTG | 碳化硅 (SiC) 模块 30 欧姆 SiC M3S MOSFET，1200 V，2 封装半桥拓扑结构，F1 封装 | 订购 / 了解更多 |
注意：电路板只能在实验室环境中使用，必须由受过所有安全标准培训的专业人员操作。请 联系睿查森电子的应用工程团队，讨论这些电路板如何帮助您评估 onsemi 指定的 SiC 模块。.
更多半导体 技术
这些 12000V M3S 平面 SiC MOSFET 针对快速开关应用进行了优化。其平面技术可在负栅极电压驱动下可靠工作，并能关闭栅极上的尖峰。
