坚固耐用、大电流处理 T10 功率 MOSFET

更高效、更强大、更可靠的硅 MOSFET 解决方案

onsemi 的 T10 系列中压功率 MOSFET 为快速开关 DC-DC 和电机控制应用提供了多种优势,包括高功率耗散、增强的散热性能和小尺寸,适合高功率密度设计。

更高效、更强大、更可靠 技术

实现更高的功率密度

与以前的技术相比,Rsp 降低 30%-40

减少开关损耗,提高效率

将 Qg、Qsw 和 Qoss 降低 2 倍

减少振铃、过冲和 EMI/噪声

更软的恢复二极管和更低的 Qrr

实现更高的可靠性和稳健性

UIS 能力提高 10%

T10 优化 - 技术

T10S 快速开关直流-直流应用

  • 改进 FOM
  • 效率更高 Qg 更低
  • 更少的驱动损失 更低的 Qsw
  • 减少开关损耗
  • 更低的 Qoss - 更少的充放电损耗
  • 更低的 Qrr - 更少的反向恢复损耗
  •  

T10M 电机控制应用

  • 最小化参数变化 降低 RDS(on)
  • 传导损耗更小 Qg 更低
  • 减少驾驶损失
  • 卓越的机身柔软度
  • 电压峰值更低 UIS 能力更强
  • 更可靠
部件编号
包装
VDS(V)
VGS(V)
RDS(ON)Max (mΩ)
NTMFS0D5N04XL
SO8-FL 5×6
40
20
0.49
NTMFS0D7N04XL
SO8-FL 5×6
40
20
0.68
NTMFS0D9N04XL
SO8-FL 5×6
40
20
0.9
NTMFS0D4N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
0.42
NTMFS0D5N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
0.52
NTMFS0D7N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
0.7
NTMFS0D9N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
0.92
NTMFS1D1N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
1.1
NTMFS1D3N04XM
SO8-FL 5×6
40
20
1.3
NTMFWS1D5N08X
SO8-FL 5×6
80
20
1.5
NTMFS2D1N08X
SO8-FL 5×6
80
20
2.1
NTMFS2D5N08X
SO8-FL 5×6
80
20
2.5
NTMFS3D0N08X
SO8-FL 5×6
80
20
3
NTMFS3D5N08X
SO8-FL 5×6
80
20
3.5
NTMFS4D0N08X
SO8-FL 5×6
80
20
4
NTBLS0D8N08X
托尔 10×12
80
20
0.8

能源与动力设计支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。