onsemi 的 T10 系列中压功率 MOSFET 为快速开关 DC-DC 和电机控制应用提供了多种优势,包括高功率耗散、增强的散热性能和小尺寸,适合高功率密度设计。
更高效、更强大、更可靠 技术
实现更高的功率密度
与以前的技术相比,Rsp 降低 30%-40
减少开关损耗,提高效率
将 Qg、Qsw 和 Qoss 降低 2 倍
减少振铃、过冲和 EMI/噪声
更软的恢复二极管和更低的 Qrr
实现更高的可靠性和稳健性
UIS 能力提高 10%
部件编号 | 包装 | VDS(V) | VGS(V) | RDS(ON)Max (mΩ) | NTMFS0D5N04XL | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 0.49 |
|---|---|---|---|---|
NTMFS0D7N04XL | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 0.68 |
NTMFS0D9N04XL | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 0.9 |
NTMFS0D4N04XM | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 0.42 |
NTMFS0D5N04XM | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 0.52 |
NTMFS0D7N04XM | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 0.7 |
NTMFS0D9N04XM | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 0.92 |
NTMFS1D1N04XM | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 1.1 |
NTMFS1D3N04XM | SO8-FL 5×6 | 40 | 20 | 1.3 |
NTMFWS1D5N08X | SO8-FL 5×6 | 80 | 20 | 1.5 |
NTMFS2D1N08X | SO8-FL 5×6 | 80 | 20 | 2.1 |
NTMFS2D5N08X | SO8-FL 5×6 | 80 | 20 | 2.5 |
NTMFS3D0N08X | SO8-FL 5×6 | 80 | 20 | 3 |
NTMFS3D5N08X | SO8-FL 5×6 | 80 | 20 | 3.5 |
NTMFS4D0N08X | SO8-FL 5×6 | 80 | 20 | 4 |
NTBLS0D8N08X | 托尔 10×12 | 80 | 20 | 0.8 |