新しいレベルの効率と信頼性を実現
3,3 kV 炭化ケイ素 MOSFET & ショットキーバリアダイオード
Microchip社、3.3kV炭化ケイ素製MOSFETとショットキーバリアダイオードを発表
マイクロチップの炭化ケイ素により、SiCの採用が簡単に、迅速に、確実になります。
Microchip社のSiCソリューションは、システム効率を最大化し、システムの重量とサイズを最小化するために役立つ高性能に焦点を当てています。また、Microchip社の実績あるSiCの信頼性は、最終機器の寿命まで性能の劣化がないことを保証します。
- どんな問題を解決するのか？
- 3,3kV Silicium IGBTは性能に限界あり（スイッチング損失が大きく遅い）
- 3,3kV SiCにより、設計上の妥協点をなくし、設計の複雑さを軽減し、システム・コストを低減することが可能
- SiC技術の活用：高いスイッチング周波数能力でサイズ、重量、および損失を低減
- 3,3 kV SiC製品の供給元は限定されている状況あり
- 対象アプリケーション
- 鉄道車両用パワーユニット（TPU）および補助パワーユニット（APU
- 医療用画像処理電源
- セミキャップ(半導体製造装置)
- 再生可能エネルギー／グリッド
- 産業用モータードライブ
- 航空宇宙・防衛用配電
3,3 kV MOSFETs et diodes SiC
Type d'appareil | Numéro de pièce (V) | Tension (V) | Rds(on) (mΩ) | Courant (A) | Type d'emballage | MOSFET SiC | MSC025SMA330B4 | 3300 | 25 | 104 | TO-247-4L |
|---|---|---|---|---|---|
MOSFET SiC | MSC080SMA330B4 | 3300 | 80 | 43 | TO-247-4L |
MOSFET SiC | MSC400SMA330B4 | 3300 | 400 | 8 | TO-247-4L |
SiC SBD | MSC030SDA330B | 3300 | - | 30 | TO-247-2L |
SiC SBD | MSC090SDA330B2 | 3300 | - | 90 | T-MAX (-2L) |
