Les transistors de puissance à mode d'amélioration de 650 V en GaN sur silicium d'Innoscience sont conçus pour les applications de puissance à haute tension. Le boîtier 8 x 8 double plat sans plomb (DFN) des dispositifs présentés ci-dessous assure une dissipation efficace de la chaleur et une conception compacte, ce qui les rend idéaux pour une large gamme d'applications.
Innoscience conçoit, développe et fabrique des dispositifs GaN hautement performants et fiables pour une large gamme d'applications et de tensions (LV:30V-150V et HV : 650V), garantissant d'excellentes performances, une fiabilité, une assistance, une sécurité d'approvisionnement, une grande capacité et des prix compétitifs grâce à ses capacités de grands volumes, à la taille des plaquettes de 8 pouces et à ses outils de fabrication avancés à haut débit.
Caractéristiques principales - Transistors de puissance en mode amélioration GaN 650 V
Avantages
- Fabrication en série et prix compétitif
- Fréquences de commutation élevées
- Courant de récupération inverse nul
- Ron x Qg 1/10 des MOSFET Si
- Protection ESD intégrée
- Supporte des pointes de tension jusqu'à 750 V à RT et HT
- Fiable
- Compatible broche à broche avec d'autres
Applications
- Convertisseurs AC-DC
- Convertisseurs DC-DC
- Pôle totem PFC
- Chargement rapide de la batterie
- Conversion d'énergie à haute densité
- Conversion d'énergie à haut rendement
Transistors de puissance à mode amélioré 650 V en GaN en boîtier DFN 8 X 8
Numéro de pièce | VDS,max | RDS(on),max | RDS(on),typ | Actuel |
|---|---|---|---|---|
INN650D140A | 650 V | 140 mΩ | 106 mΩ | 17 A |
INN650D190A | 650 V | 190 mΩ | 138 mΩ | 11.5 A |
INN650D240A | 650 V | 240 mΩ | 165 mΩ | 10 A |
INN650D350A | 650 V | 350 mΩ | 270 mΩ | 6 A |
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