Transistor de puissance à mode d'amélioration de 650V en GaN sur silicium dans un boîtier double plat sans plomb (DFN) de 8 mm × 8 mm.
- Caractéristiques
- Transistor à mode d'amélioration - Interrupteur de puissance normalement désactivé
- Fréquence de commutation ultra élevée
- Pas de frais d'autoliquidation
- Faible charge de grille, faible charge de sortie
- Qualifié pour les applications industrielles selon les normes JEDEC
- Sauvegarde ESD
- RoHS, sans plomb, conforme à REACH
- Détails de la construction
- Convertisseurs AC-DC
- Convertisseurs DC-DC
- BCM/DCM totem pole PFC
- Chargement rapide de la batterie
- Conversion d'énergie à haute densité
- Conversion d'énergie à haut rendement
- Spécifications
Paramètres | Valeur | VDS,max | 650V |
|---|---|
RDS(on),max @ VGS = 6 V | 80mΩ |
QG,typ @ VDS = 400 V | 6.2nC |
ID, impulsion | 58A |
QOSS @ VDS = 400 V | 60nC |
Qrr @ VDS = 400 V | 0nC |
