Démonstrateur de fusible électronique à micropuce (E-Fuse)

Fournit une méthode plus rapide et plus fiable pour protéger les applications d'électronique de puissance
Démonstrateur de fusible électronique auxiliaire haute tension en carbure de silicium

Démonstrateur de fusible électronique auxiliaire haute tension en carbure de silicium

Vous pouvez utiliser ce démonstrateur de fusible auxiliaire haute tension en carbure de silicium dans des applications de véhicules électriques hybrides (HEV) et de véhicules électriques (EV). Ce démonstrateur technologique exploite les avantages des technologies suivantes Microchip700V et 1200V de Microchip et d'autres technologies pour fournir une solution complète.

En outre, cette conception met en œuvre une courbe caractéristique temps-courant (TCC) qui vous aide à migrer vers des applications non automobiles telles que les disjoncteurs à semi-conducteurs à courant continu.

L'augmentation de la teneur en haute tension des équipements finaux automobiles et industriels s'accompagne d'un besoin accru de protection. E-Fuse, rendu possible par la technologie SiC, offre une méthode plus rapide et plus fiable pour protéger les applications électroniques de puissance. Les solutions E-Fuse peuvent détecter et interrompre les courants de défaut quelques microsecondes plus rapidement que les approches traditionnelles. Les temps de réponse rapides limitent les pics de courant de défaut et empêchent un événement de défaut de se transformer en panne grave. Profitez des avantages suivants de la technologie E-Fuse:

  • Utilisation dans les systèmes de batteries 400V et 800V
  • Relais statique haute tension avec protection contre les surintensités
  • Une mise sur le marché plus rapide
  • Performance et efficacité optimales
  • Une solution éprouvée qui évite l'approvisionnement en pièces détachées
  • Réduction des risques grâce à la fiabilité et à l'accélération du développement
Logo Microchip

Technologie E-Fuse Avantages

Caractéristiques

  • Profil de limitation de courant configurable
  • Interface de communication LIN pour la configuration et le diagnostic
  • Configuration de l'entraînement côté haut ou côté bas
  • Durée de résistance aux courts-circuits : 10 µs
  • Courant nominal : 30A
  • Plage de fonctionnement à basse tension : 9V à 16V
  • Plage de fonctionnement à haute tension : 200V à 900V
  • Plage de température de fonctionnement : De -40°C à 85°C
  • Utilisation dans les applications automobiles
  • Conception de matériel automobile n'utilisant que des composants qualifiés AEC
  • Six variantes de ce fusible électronique auxiliaire haute tension qui prend en charge des tensions de bus de 400V et 800V et des courants continus de 10A, 20A et 30A.
  • Fréquence de commutation jusqu'à 20 kHz

Applications

  • Chauffage par induction
  • Entraînements motorisés
  • Production d'énergie / Réseaux intelligents / Énergie intelligente
  • Chemins de fer
  • Chargement rapide des VE
  • Onduleurs et SMPS

Complément d'information Documentation

Fichiers de conception Altium

Nomenclature

Logiciel Modèle PLECS

Guide de l'utilisateur

Cet article présente les dispositifs SiC de Microchip, disponibles auprès de Richardson RFPD, qui permettent la protection des circuits DC.

En vedette Produits

Les MOSFET SiC de Microchip sont dans des boîtiers TO-247 à 4 pattes. Ces boîtiers permettent d'accéder à la source Kelvin, qui est câblée directement sur la puce, ce qui permet de contourner l'effet du di/dt dans l'inductance de la source. Cela permet un meilleur contrôle du MOSFET SiC, en particulier dans des conditions transitoires rapides et à fort courant.

La disposition du circuit comprend des fentes et une distance de fuite suffisante pour accueillir des MOSFET SiC de 700V et 1200V. En fonction de la tension cible et de l'intensité nominale, vous pouvez remplir le modèle de fusible électronique auxiliaire haute tension avec les dispositifs indiqués dans le tableau ci-dessous.

Soutien à la conception dans le domaine de l'énergie et de la puissance

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À propos de notre équipe d'experts

Notre équipe d'ingénieurs d'application internationaux est à votre disposition pour répondre à vos questions et s'assurer que la conception de votre système de conversion d'énergie ou de stockage d'énergie répond à vos attentes en matière de performances. Si vous passez du silicium au nitrure de gallium (GaN) ou au carbure de silicium (SiC), nous vous aiderons à identifier le dispositif de commutation adéquat pour obtenir la densité de puissance et l'efficacité accrue dont votre application a besoin.