Découvrir Les modules de puissance polyvalents IGBT 7 de MicrochipLes modules de puissance polyvalents IGBT 7 de Microchip offrent une capacité de courant accrue, des pertes réduites et un rendement élevé dans de multiples options de boîtiers. Couvrant des tensions de 1200V à 1700V et des courants jusqu'à 900A, ces modules offrent puissance, précision et performance pour diverses applications.
Portefeuille IGBT 7 - Puce électronique
La nouvelle gamme IGBT 7 est désormais disponible en sept boîtiers pour 49 pièces. Ces dispositifs présentent une VCE(sat) et une Vf plus faibles, une capacité de surcharge à Tj 175°C, une capacité de courant 50 % plus élevée, une meilleure contrôlabilité de dv/dt, une souplesse améliorée de la diode de roue libre et un pilotage plus simple par rapport aux générations précédentes.
IGBT 7 Puissance, performance et précision
Caractéristiques de l'appareil
- Tension d'état inférieure VCE(sat) et Vf
- Capacité de surcharge à Tvj,op = 175°C
- Amélioration de la contrôlabilité de dv/dt
- Diode de roue libre améliorée
- Optimisé pour une conduite simple
Avantages de l'application
- Courant supérieur de ~50% par rapport à l'IGBT4
- Saut de taille de cadre
- Réduction du besoin de mise en parallèle
- Moins de problèmes d'interférence électromagnétique
- Couvre les Fsw basses à moyennes
- ~15% de pertes en moins par rapport à l'IGBT4
Avantages pour les clients
- Densité de puissance élevée
- Coût réduit du système
- Haute efficacité
- Fiabilité et durabilité
- Facilité d'utilisation
- Une mise sur le marché plus rapide
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