Modules MOSFET SiC de Microchip

Une technologie révolutionnaire associant hautes performances et faibles pertes
Modules MOSFET SiC de Microchip

Modules MOSFET SiC de Microchip

  • Commutation à grande vitesse
  • Faibles pertes de commutation
  • Faible capacité d'entrée
  • Densité de puissance élevée
  • Boîtes à profil bas
  • Inductance parasite minimale
  • Lower system cost
  • Modules standard et personnalisés
  • Plus de 30 ans d'expérience dans le domaine de la conception

Puce électronique Produits en vedette

Numéro de pièce
Configuration
Tension (V)
Rds(on) (mΩ)
Courant (A)
Tc=80 C
Paquet
MSC100SM70JCU2
Hacheur de puissance
700
15
97
SOT227
MSC100SM70JCU3
Hélicoptère Buck
700
15
97
SOT227
MSCSM70TAM19CT3AG
Pont à 3 phases
700
15
97
SP3F
MSCSM70TAM05TPAG
Jambe triphasée
700
5
273
SP6P
MSCSM70AM07CT3AG
Jambe de phase
700
5
276
SP3F
MSCSM70AM025CT6LIAG
Jambe de phase
700
2.5
538
SP6C LI
MSCSM70HM19CT3AG
Pont complet
700
15
97
SP3F
MSCSM70VM10C4AG
Étape de la phase viennoise
700
7.5
97
SP4
MSC130SM120JCU2
Hacheur de puissance
1200
12.5
138
SOT227
MSC130SM120JCU3
Hélicoptère Buck
1200
12.5
138
SOT227
MSCSM120DAM11CT3AG
Hacheur de puissance
1200
11
202
SP3F
MSCSM120SKM11CT3AG
Hélicoptère Buck
1200
11
202
SP3F
MSCSM120TAM31CT3AG
Pont à 3 phases
1200
25
71
SP3F
MSCSM120TAM11CTPAG
Jambe triphasée
1200
8.33
200
SP6P
MSCSM120AM16CT1AG
Jambe de phase
1200
12.5
138
SP1F
MSCSM120AM08CT3AG
Jambe de phase
1200
6.25
268
SP3F
MSCSM120AM027CD3AG
Jambe de phase
1200
2.7
584
D3
MSCSM120AM027CT6AG
Jambe de phase
1200
2.7
584
SP6C
MSCSM120AM02CT6LIAG
Jambe de phase
1200
2.1
754
SP6C Li
MSCSM120HM16CT3AG
Pont complet
1200
12.5
138
SP3F

Soutien à la conception dans le domaine de l'énergie et de la puissance

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À propos de notre équipe d'experts

Notre équipe d'ingénieurs d'application internationaux est à votre disposition pour répondre à vos questions et s'assurer que la conception de votre système de conversion d'énergie ou de stockage d'énergie répond à vos attentes en matière de performances. Si vous passez du silicium au nitrure de gallium (GaN) ou au carbure de silicium (SiC), nous vous aiderons à identifier le dispositif de commutation adéquat pour obtenir la densité de puissance et l'efficacité accrue dont votre application a besoin.