La demande de MOSFET et de diodes en carbure de silicium (SiC) augmente rapidement, en particulier dans les applications automobiles, industrielles et énergétiques, en raison de l'amélioration de l'efficacité, de la densité de puissance supérieure et de la réduction des coûts des systèmes.
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Wolfspeed MOSFETs SiC
Boîtier TO-247-3
Numéro de pièce | Tension de blocage | RDS(on) | (ID) À 25°C | Paquet | Échantillons | C3M0075120D | 1200 V | 75 mΩ | 30 A | TO-247-3 | Demande d'échantillon |
|---|---|---|---|---|---|
C3M0120090D | 900 V | 120 mΩ | 23 A | TO-247-3 | Demande d'échantillon |
Boîtier TO-263-7
Numéro de pièce | Tension de blocage | RDS(on) | (ID) À 25°C | Paquet | Échantillons | C3M0060065J | 600 V | 60 mΩ | 36 A | TO-263-7 | Demande d'échantillon |
|---|---|---|---|---|---|
C3M0120100J | 1000 V | 120 mΩ | 22 A | TO-263-7 | Demande d'échantillon |
Wolfspeed Diodes SiC de 6ème génération
Boîtier TO-220-2
Numéro de pièce | Tension de blocage | (ID) À 25°C | Paquet | Échantillons | C6D04065A | 650 V | 4 A | TO-220-2 | Demande d'échantillon |
|---|---|---|---|---|
C6D06065A | 650 V | 6 A | TO-220-2 | Demande d'échantillon |
C6D08065A | 650 V | 8 A | TO-220-2 | Demande d'échantillon |
C6D10065A | 650 V | 10 A | TO-220-2 | Demande d'échantillon |
C4D05120A | 1200 V | 5 A | TO-220-2 | Demande d'échantillon |
C4D20120A | 1200 V | 20 A | TO-220-2 | Demande d'échantillon |
Boîtier TO-263-2
Numéro de pièce | Tension de blocage | (ID) À 25°C | Paquet | Échantillons | C6D04065E | 650 V | 4 A | TO-263-2 | Demande d'échantillon |
|---|---|---|---|---|
C6D06065E | 650 V | 6 A | TO-263-2 | Demande d'échantillon |
C6D08065E | 650 V | 8 A | 10 A | Demande d'échantillon |
C6D10065E | 650 V | 10 A | TO-263-2 | Demande d'échantillon |
E4D20120G (Qualifié AEC-Q101) | 1200 V | 20 A | TO-263-2 | Demande d'échantillon |
Boîtier TO-247-3
Numéro de pièce | Tension de blocage | (ID) À 25°C | Paquet | Échantillons | C6D16065D | 650 V | 16 A | TO-247-3 | Demande d'échantillon |
|---|---|---|---|---|
6D20065D | 650 V | 20 A | TO-247-3 | Demande d'échantillon |
C4D20120D | 1200 V | 32 A | TO-247-3 | Demande d'échantillon |