Cette discussion technique aborde les différents niveaux de commande de grille requis pour une performance optimale des technologies au silicium (Si), au nitrure de gallium (GaN) et au carbure de silicium (SiC). In addition, we discuss the difference between unipolar and bipolar gate drivers and how their configurations vary.
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Protection contre les courts-circuits à l'aide de pilotes de porte isolés
Les pilotes de grille constituent la première ligne de défense contre les défauts de court-circuit sur les dispositifs à semi-conducteurs de puissance.

Pourquoi la force d'entraînement du pilote de porte est essentielle
Dans cette discussion technique, nous expliquons pourquoi la force d'entraînement de la grille est essentielle pour soutenir la commutation plus rapide du nitrure de gallium (GaN) et du carbure de silicium (SiC) pour des pertes plus faibles.

Immunité aux transitoires en mode commun
L'immunité aux transitoires en mode commode liée aux pilotes de grille est expliquée dans cette discussion technique, ainsi que le CMTI minimum des pilotes de grille requis pour les convertisseurs intégrés avec des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) ou en carbure de silicium (SiC).