25 septembre 2019 - Genève, III. :

Richardson RFPD, Inc. a annoncé aujourd'hui la disponibilité et les capacités complètes de support de conception pour une famille robuste de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium de Wolfspeed, une société Cree.

Selon Wolfspeed, la gamme de MOSFET SiC de la série E représente les premiers MOSFET qualifiés pour l'automobile, compatibles PPAP et résistants à l'humidité. Ces dispositifs intègrent la technologie planaire robuste de troisième génération de Wolfspeed, qui présente les pertes de commutation les plus faibles de l'industrie et le chiffre de mérite le plus élevé.

Les MOSFET de la série E sont optimisés pour être utilisés dans les chargeurs de batteries de véhicules électriques et les convertisseurs DC/DC à haute tension pour les systèmes de conversion d'énergie embarqués dans les véhicules, la charge hors-bord, les onduleurs solaires et d'autres applications extérieures.

Les dispositifs se caractérisent par une tension de claquage drain-source (Vbr) d'au moins 900 V sur toute la plage de température de fonctionnement, une commutation à grande vitesse avec une faible capacité de sortie, une tension de blocage de 900 V avec un faible RDS(on), et des diodes intrinsèques rapides avec une faible récupération inverse (Qrr). La série E est facile à mettre en parallèle, simple à piloter et disponible en boîtiers TO-247-3.

Les autres caractéristiques clés de la nouvelle série E sont les suivantes :