9 octobre 2019 - Genève, III.. :

Richardson RFPD, Inc. a annoncé aujourd'hui la disponibilité et les capacités complètes de support de conception pour une nouvelle famille de MOSFET de puissance SiC 1200V de Wolfspeed, une société Cree.

Basés sur la technologie MOSFET planaire de troisième génération, les nouveaux dispositifs comprennent une diode de corps intrinsèque robuste qui permet un fonctionnement dans le troisième quadrant sans avoir besoin d'une diode externe supplémentaire. Selon Wolfspeed, la nouvelle famille de produits comprend le Rds_(on) le plus bas à 1200V dans un boîtier discret avec un Rds_(on) plat en fonction de la température.

Wolfspeed a conçu ces MOSFET de troisième génération avec un rapport CGS/CGD accru pour une meilleure performance de commutation dure. Les applications à commutation douce peuvent également bénéficier du comportement plus linéaire du COSS. Les concepteurs peuvent réduire le nombre de composants en passant de topologies à trois niveaux basées sur le silicium à des topologies plus simples à deux niveaux rendues possibles par l'amélioration des performances de commutation.

Les nouveaux dispositifs conviennent à une série d'applications, notamment les systèmes d'énergie solaire, la recharge des véhicules électriques, l'alimentation sans interruption (UPS), les SMPS, la commande et l'entraînement des moteurs, et le stockage de l'énergie.

Les MOSFET de puissance 1200V SiC présentent d'autres caractéristiques clés :