DOWNERS GROVE, Illinois (25 février 2026) – Richardson RFPD, Inc., une société du groupe Arrow Electronics, a annoncé l'élargissement de la disponibilité de la plateforme MOSFET en carbure de silicium (SiC) Gen 4 de Wolfspeed, conçue pour offrir efficacité, comportement de commutation simplifié et fiabilité à long terme pour les applications haute puissance les plus exigeantes d'aujourd'hui.

La technologie Gen 4 de Wolfspeed est conçue pour améliorer les performances au niveau du système tout en réduisant la complexité de la conception. Avec des dispositifs proposés dans les classes 750 V, 1 200 V et 2 300 V, la gamme prend en charge les modules de puissance, les composants discrets et les formats de puces nues, offrant ainsi aux ingénieurs une grande flexibilité sur les marchés de l'industrie, des énergies renouvelables, de la recharge des véhicules électriques, des onduleurs et de la conversion haute tension.

Efficacité accrue et conception simplifiée

Les MOSFET de quatrième génération réduisent les pertes de commutation et prennent en charge des fréquences de commutation plus élevées, ce qui permet d'utiliser des composants passifs plus petits et d'obtenir une densité de puissance plus élevée. Leurs caractéristiques de conduction optimisées réduisent les pertes sur toute la plage de charge, ce qui est essentiel pour les onduleurs de traction des véhicules électriques, les entraînements de moteurs industriels et les systèmes d'alimentation des centres de données IA.

Fiabilité éprouvée et performances thermiques améliorées

Conçus à partir de la technologie SiC de pointe de Wolfspeed, les dispositifs Gen 4 offrent une robustesse améliorée et un fonctionnement plus froid. Leur compatibilité avec des conditions de commande de grille de 15 à 18 V à l'activation et de 0 V à -5 V à la désactivation facilite leur intégration dans les architectures haute puissance existantes, tandis que les mesures améliorées de la zone de fonctionnement sécurisée permettent une utilisation dans des environnements plus difficiles et prolongent le cycle de vie des systèmes.

Optimisé pour les applications haute puissance du monde réel

La gamme de MOSFET SiC 1200 V de Wolfspeed offre plusieurs options de résistance à l'état passant pour aider les concepteurs à trouver le bon équilibre entre coût, performances et efficacité. Les applications à commutation dure bénéficient de pertes à l'activation réduites et d'une meilleure linéarité Coss, tandis que les topologies à commutation douce offrent un comportement plus fluide et des interférences électromagnétiques réduites.

Pour en savoir plus sur les MOSFET Wolfspeed Gen 4, y compris les alternatives aux produits Gen 3, ou pour demander un échantillon, rendez-vous sur le site Web de Richardson RFPD.