L'objectif de cette note d'application est de fournir aux utilisateurs des composants à large bande interdite de Cree une ligne directrice sur la performance thermique des transistors SiC MESFET et GaN HEMT de haute puissance. Elle explique la méthodologie utilisée par Cree pour déterminer les valeurs de résistance thermique indiquées dans ses fiches techniques. Comme pour tous les dispositifs semi-conducteurs, la fiabilité des dispositifs SiC MESFET et GaN HEMT dépend directement de la température maximale de fonctionnement du canal. Il est donc important de déterminer, avec un degré de confiance élevé, la température maximale du canal dans des modes de fonctionnement spécifiques, en particulier pour les produits fonctionnant sous CW et dissipant de grandes quantités d'énergie thermique.