- RFPD
- Solutions RF et micro-ondes
- Aperçu des produits RF
- En vedette GaN pour l'avionique et les radars
En vedette GaN pour l'avionique et les radars
Forte d'un héritage de plusieurs décennies dans le domaine des dispositifs de puissance RF, Microchip propose des transistors discrets RF et hyperfréquences CW et pulsés de haute performance, à base de GaN sur SiC et de HEMT (High Electron Mobility Transistor), jusqu'à 14 GHz, ainsi que des amplificateurs MMIC jusqu'à 32 GHz, destinés aux applications aérospatiales et de défense, ainsi qu'aux radars commerciaux, aux communications et à l'industrie. Ces dispositifs sont disponibles dans des boîtiers nus, des boîtiers plastiques QFN/DFN, des boîtiers céramiques à pilules et à brides, ainsi que dans des palettes modulaires d'entrée/sortie de 50 Ω.
Télécharger le guide complet Guide de sélection GaN de Microchip
Transpondeurs avioniques
1011GN-1200V : HEMT GaN 1030-1090 MHz
- Voir plus de Microchip RF Power Amplifiers
Radar primaire en bande L
1214GN-1200VG : HEMT GaN 1,2-1,4 GHz
1011GN-1200V : HEMT GaN 1030-1090 MHz
Le 1214GN-1200VG est un transistor GaN sur HEMT SiC de classe AB, apparié en interne, à source commune, capable de fournir un gain de plus de 16,3 dB, un rendement de drain de 53 %, une puissance de sortie RF pulsée de 1200 W à une largeur d'impulsion de 300 μs, un facteur de marche de 10 % sur la bande 1200-1400 MHz. Le transistor dispose d'un pré-appariement interne pour des performances optimales et est idéal pour une utilisation dans les étages de sortie de radar primaire pulsé en bande L.
Radar commercial et A&D
ICP0349P : Amplificateur de puissance MMIC GaN à 2 étages, 2,7-3,5 GHz
Le ICP0349P est un amplificateur de puissance à 2 étages, 50 ohms apparié avec des condensateurs de blocage DC intégrés, emballé dans un QFN en plastique. Fabriqué sur un procédé GaN sur SiC de 0,25um, le dispositif fonctionne entre 2,7 et 3,5 GHz avec une puissance de sortie de plus de 48 dBm et un PAE de 60 %, et convient parfaitement aux applications radar commerciales et de défense.
Radar en bande S
2729GN-300VP : Palette d'amplificateurs de puissance 300 W, 50 V, 2700-2900 MHz
Le 2729GN-300VP est un produit de palette apparié à 50 Ohms en entrée et en sortie sur lequel est utilisé le transistor 2729GN-300V. La construction de la palette fait appel aux meilleures pratiques de fabrication, ce qui permet d'obtenir une qualité et une fiabilité optimales tout en réduisant les coûts globaux de fabrication des systèmes.
SATCOM, A&D, 5G
ICP2840-1-110I : MMIC GaN PA 27.5-31 GHz 9 W
Le ICP2840 est un amplificateur de puissance MMIC équilibré en bande Ka atteignant 39 dBm de puissance de sortie saturée en fonctionnement CW. Fabriqué en utilisant la technologie GaN SiC, l'ICP2840 fonctionne de 27.5 à 31 GHz avec 28% PAE et 24 dB de gain de petit signal.
Systèmes de communication et radars
ICP1639-1-110I : Amplificateur de puissance RF 14,5-17,5 GHz
Le ICP1639-DIE est un amplificateur de puissance MMIC GaAs à trois étages avec une fréquence de fonctionnement de 14,5-17,5 GHz. L'amplificateur de puissance a une puissance de sortie saturée pulsée de 39 dBm et un gain de 20 dB.
