NXP contribue à étendre la couverture 5G avec une nouvelle famille de transistors de puissance RF pour Massive MIMO
Avec ce lancement, le portefeuille MIMO massif discret de NXP couvre désormais toutes les bandes de fréquences cellulaires de 2,3 à 4,0 GHz, en s'appuyant sur la dernière technologie GaN propriétaire de NXP, fabriquée dans sa nouvelle usine de Chandler, en Arizona. La gamme comprend des transistors de pilote et d'étage final qui permettent aux ingénieurs de créer des stations de base plus petites, plus légères et plus faciles à déployer et à dissimuler dans les zones urbaines et suburbaines.
Caractéristiques
Applications
Bande de fréquence/Configuration | 2,3 GHz | 2,6 GHz | 3,5 GHz | 3,7 GHz | 3,9 GHz | 32T32R (10 W Avg @ Ant) | A5G23H110N | A5G26H110N | A5G37H110N |
|---|---|---|---|---|---|
Pilote : A5G26S008N | Pilote : A5G35S008N | ||||
64T64R (5 W Avg @ Ant) | A5G23H065N | A3G26D055N | A5G35H055N | A5G38H045N | |
Pilote : A5G26S004N | Pilote : A5G26S004N | ||||
