Le portefeuille RF power macro GaN de NXP comprend des transistors RF de haute puissance conçus pour les têtes radio distantes (RRH) dans les stations de base cellulaires. Ces dispositifs sont conçus pour des unités radio de 40 W à 80 W ciblant les infrastructures 4T4R et 8T8R.
Caractéristiques
- Boîtier commun à toutes les bandes de fréquences : Boîtier en plastique surmoulé OM-780-4S4S
- Impédances élevées pour une performance optimale à large bande
- Conçue en configuration Doherty asymétrique pour un rendement élevé
- Capable de résister à un ROS de sortie extrêmement élevé et à des conditions de fonctionnement à large bande
- Magnitude vectorielle d'erreur (EVM) améliorée par GaN à faible mémoire avec pré-distorsion numérique (DPD) pour une linéarité élevée du signal RF
- Basé sur le processus GaN à faible mémoire de NXP
- Fabriqué dans l'usine de nitrure de gallium de NXP à Chandler, en Arizona.
Transistors Macro GaN de puissance RF Portefeuille
Numéro de pièce | Gamme de fréquences (MHz) | Puissance (moyenne W) | Gain (dB) | Tension d'alimentation (V) | Disponibilité | A5G07H800W19NR3 | 717 - 850
| 112
| 19.3
| 50 | En savoir plus / Commander |
|---|---|---|---|---|---|
A5G08H800W19NR3
| 865 - 960
| 112
| 19.5
| 50
| En savoir plus / Commander
|
A5G18H610W19NR3
| 1805 - 1880
| 85
| 17.5
| 48
| En savoir plus / Commander
|
A5G19H605W19NR3
| 1930 - 1995
| 85
| 16.7
| 48
| En savoir plus / Commander
|
A5G21H605W19NR3
| 2110 - 2200
| 85
| 16.5
| 48
| En savoir plus / Commander
|
A5G26H605W19NR3
| 2496 - 2690
| 85
| 15.3
| 48
| En savoir plus / Commander
|
Gamme d'amplificateurs recommandés utilisant les transistors Macro GaN de NXP
(Sélection de la gamme de fréquences)
- 48 V GaN
- 48 V GaN
- 48 V GaN
- 48 V GaN
- 48 V GaN
- 48 V GaN
Macro GaN pour la 5G Infrastructure
La configuration radio traditionnelle 4T4R contient 4 amplificateurs de puissance et est utilisée dans les zones où la demande de données est modérée. Les radios 8T8R permettent une formation de faisceau plus complexe afin d'améliorer la portée du signal et la capacité à gérer un plus grand nombre d'utilisateurs simultanés dans des environnements à plus forte densité tels que les communautés suburbaines.
GAN propriétaire à faible mémoire de NXP
Effet de mémoire réduit
(anciennes générations de NXP basées sur la fonderie)
EVM traditionnel GaN
NXP RF Ga EVM
- Relever le défi de la linéarité des signaux 5G
- Maximiser la linéarité et réduire la complexité de la DPD
- Améliore la stabilité d'impulsion à impulsion pour les applications pulsées
- Présente une plus grande dispersion
- L'amplificateur de puissance déforme le signal au-delà des niveaux souhaités.
- Les points convergent vers un seul endroit, reproduisant avec succès la forme d'onde.
- Permet au signal 5G d'atteindre la destination
Liste de lecture
2 Vidéos
3:29
