Solutions d'amplification de puissance RF

Richardson RFPD inventorie et prend en charge un large portefeuille de dispositifs de transmission RF provenant des principaux fabricants.
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Amplificateurs RF des principaux fabricants

Amplificateurs RF des principaux fabricants

L'amplification RF est un élément essentiel de tout système RF. Une variété de dispositifs est disponible pour répondre aux différentes exigences des applications et des systèmes, depuis les transistors discrets jusqu'aux cartes frontales RF complètes. Des niveaux d'intégration plus élevés peuvent accélérer la mise sur le marché et réduire les risques, mais ces solutions ne conviennent pas à toutes les applications.

Richardson RFPD inventorie et prend en charge un large portefeuille de dispositifs de transmission RF provenant des principaux fabricants.

En vedette Amplificateurs RF

Transistors de puissance RF

Transistor à gain unique qui nécessite une adaptation intégrée à 50 Ω. C'est la solution la plus polyvalente qui peut être optimisée pour de nombreuses applications différentes, mais c'est celle qui demande le plus de travail pour être intégrée dans la conception d'un circuit.
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Transistor à impédance adaptée (IMFET)

Transistor à gain unique dont les ports d'entrée seulement ou d'entrée et de sortie sont adaptés à 50 Ω. Premier niveau d'intégration qui peut simplifier la conception des circuits.
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Amplificateur de puissance RF

Amplificateur à gain multiple dont les ports d'entrée seulement ou d'entrée et de sortie sont adaptés à 50 Ω. Le dispositif peut être un MMIC 50Ω ou un module de transistors à plusieurs étages avec adaptation discrète dans le boîtier. Des circuits supplémentaires, tels que le blocage du courant continu, l'intégration de la polarisation, le contrôle de la température et la surveillance peuvent être inclus.
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Module amplificateur de puissance RF

Amplificateur à étages multiples avec polarisation intégrée, contrôle et adaptation d'impédance 50 Ω. Similaire à un amplificateur de palette, mais enfermé dans un boîtier en aluminium et avec plus de fonctionnalités, y compris le contrôle logiciel, et une bande passante plus large. Idéal pour les radars, les communications, la guerre électronique ou les applications de test en laboratoire RF.

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Carte frontale RF

Bloc de circuit complet qui comprend l'ensemble des voies de transmission et de réception. Configuration simple ou multiple (MIMO). Produit le plus proche d'un module OEM. Destiné à être intégré à des cartes de système radio qui contiennent un émetteur-récepteur et un processeur de bande de base, comme un système sur module (SoM) de radio logicielle (SDR).

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Amplificateur RF pour palettes

Circuit de transistor de puissance RF à un ou plusieurs étages monté sur une carte de circuit imprimé et une plaque de base. Les circuits de polarisation, de contrôle et d'adaptation d'impédance sont inclus. Il s'agit tout simplement d'un bloc de gain 50 Ω haute puissance destiné à être intégré dans un émetteur haute puissance.

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Ressources supplémentaires Ressources

Transistor discret, IMFET ou circuit intégré d'amplificateur de puissance... Sélection par application

Ce document couvre les options de construction de composants disponibles pour toutes les technologies d'amplificateurs de puissance RF, y compris, mais sans s'y limiter, le GaN.

Livre blanc : Transistor discret, IMFET ou circuit intégré d'amplificateur de puissance... Sélection par application

Le choix de la bonne catégorie de composants est essentiel pour développer des systèmes d'amplification qui répondent aux exigences de performance, de taille, de coût et de délai de mise sur le marché, et il existe de nombreuses options à prendre en compte. Ce document couvre les options de construction de composants disponibles pour toutes les technologies d'amplificateurs de puissance RF, y compris, mais sans s'y limiter, le GaN.
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Transistor discret, IMFET ou circuit intégré d'amplificateur de puissance... Lequel est le meilleur ?

Ce document passe en revue les différents types de dispositifs semi-conducteurs de puissance RF, leurs caractéristiques distinctives et quelques exemples.

Livre blanc : Transistor discret, IMFET ou circuit intégré d'amplificateur de puissance... Lequel est le meilleur ?

Il existe trois dispositifs semi-conducteurs de puissance RF largement disponibles : les transistors discrets, les transistors à effet de champ à adaptation d'impédance (IMFET) et les circuits intégrés d'amplification MMIC. Chaque dispositif présente une proposition de valeur unique qui sera abordée dans le présent document.
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