Les avantages des amplificateurs RF Wolfspeed GaN-on-SiC ont été bien documentés - ils offrent une densité de puissance exceptionnelle, une fiabilité et un meilleur rendement que leurs homologues traditionnels à base de GaAs. Dans cet article, un amplificateur RF à base de GaN-sur-SiC est optimisé pour les applications de troposcatter à 4,4-5,0 GHz.
Cet article passe en revue la sélection des composants, la conception dans un environnement simulé et la mise en œuvre du circuit simulé dans le matériel. L'objectif principal du développement était de produire un amplificateur de puissance compact destiné à être intégré dans un frontal RF conçu par Richardson RFPD. La figure 1, ci-dessous, prend pour exemple un amplificateur de puissance SATCOM en bande C, représenté dans une boîte jaune. Cet amplificateur de puissance à troposphère est capable de fournir 50 W en ondes entretenues entre 4,4 et 5 GHz et doit présenter une linéarité inférieure à 3 % EVM pour un rapport puissance de crête/puissance moyenne de 10 dB.
En rapport Contenu
Technologie RadioCarbone
RadioCarbon est un frontal RF autonome (RFFE) qui devient un kit de développement lorsqu'il est associé au système sur module BytePipe™ SDR.
Démonstration IMS 2022 : Système sur module SDR avec un Radio Carbon RFFE
Richardson RFPD et NextGen RF Design présentent un système sur module SDR avec un Radio Carbon RFFE fonctionnant à 6 GHz et configurable à l'aide d'une interface graphique facile à utiliser.
Un émetteur-récepteur hautement intégré avec un frontal RF réduit le temps et les ressources de conception
Les ingénieurs de Richardson RFPD et d'autres ont fait équipe avec Analog Devices pour introduire un nouvel émetteur-récepteur hautement intégré et ont construit des SoM et des frontaux RF pour s'interfacer avec lui.
