製造部品番号キット-CRD-3DD065P
ウォルフスピードの最新（C3M™）650V SiC MOSFETおよび第6世代650V SiCショットキーダイオードの定常状態および高速ダイナミックスイッチング性能を評価し、最適化します。
- 同期/非同期降圧または昇圧コンバータ、ハーフブリッジ、フルブリッジなどの多様な電力変換トポロジーで評価ボードを分析します（ご注意：フルブリッジトポロジーには評価キットが2つ必要です）。
- ボードは、C3M™ SiC MOSFETの3リードおよび4リードTO-247パッケージ用のフットプリントを備えています。
- TO-247およびTO-220パッケージのSiCショットキーダイオードに対応
- 降圧または昇圧コンバータのトポロジーで評価ボードを動作させるためにコンデンサを追加する必要はありません。
- 各C3M™ SiC MOSFET用に基板上に2つの専用ゲート・ドライバを用意
- TO-247-4パッケージ（C3M0060065K）の650V、60mΩ C3M™ SiC MOSFET（2個）とテスト用ハードウェアを同梱
関連 コンテンツ
SpeedVal Kit™ モジュール式炭化ケイ素評価プラットフォーム
システム性能のインサーキット評価のための柔軟なビルディング・ブロック・セットを提供する、業界で最も汎用性の高いモジュール式炭化ケイ素評価プラットフォームにより、シリコンから炭化ケイ素への移行を加速します。
2023年2月13日
2021年12月7日
