ウルフスピード KIT-CRD-3DD12P：降圧ブースト評価ボード

CRD3DD12P降圧ブースト評価キットは、ウルフスピードの第3世代（C3M）炭化ケイ素（SiC）MOSFETの高速スイッチング能力を実証するために最適化されています。このボードには、ゲート・ソース間電圧をモニタするためのSMAコネクタが搭載されています。SMAコネクタは、従来のプローブやグランドリードよりもはるかにクリーンな波形を提供します。

この評価キットは、4リードおよび3リードのTO-247パッケージのMOSFETと、TO-247およびTO-220パッケージのダイオードをサポートしています。キットには、ヒートシンク、サーマルインターフェース、インダクタ、ハードウェアなど必要なものすべてと、2個のウォルフスピードC3M MOSFETが含まれており、キットを開梱して数分でテストを開始できます。