ウルフスピード - KIT-CRD-8FF65P

評価ボード 7ピンD2PAK(TO-263-7L)内の650V SiC C3M MOSFET
Wolfspeed KIT-CRD-8FF65P 評価プラットフォーム

Wolfspeed KIT-CRD-8FF65P 評価プラットフォーム

製造部品番号KIT-CRD-8FF65P

この基板は、SiC MOSFETのEONおよびEOFF損失と定常状態の熱性能を評価するために設計されています。PCBにはMOSFETの下にAlNインサートがあり、電気的絶縁とヒートシンクへの熱伝達を最適化しています。この設計は

  • 表面実装パワーデバイスの熱管理にAlNインレイPCBを使用することを示す
  • D2PAK SiC MOSFET駆動用のPCBレイアウト例として使用可能

特徴

  • 最大DCバス電圧450V
  • 最大出力4.2kW @ 100kHz
  • ドレイン電流、VGS、Vdsのスコープ・プローブ測定位置の最適化
  • MOSFET下のヒートシンクに熱電対を設置
  • 同期および非同期の降圧および昇圧トポロジーをサポート
  • キットには、VGS波形測定用のSMAおよびBNCアダプタが2個含まれています。
  • ヒートシンク、ファン、ファンガード、サーマルパッドを含む
  • 評価ボードを2枚使用することで、フルブリッジDC/DCとして構成可能
  • アプリケーション

  • 産業用電源
  • サーバー/テレコム
  • EV充電システム
  • エネルギー貯蔵システム(ESS)
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • 関連 コンテンツ

    エネルギー・電力設計サポート

    あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

    専門家チームについて

    当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。