Microsemi SiCショットキーダイオードモジュール

マイクロセミ|マイクロチップ
マイクロチップ社製700Vおよび1200V SiCダイオードモジュール

マイクロチップ社製700Vおよび1200V SiCダイオードモジュール

マイクロセミのSiCショットキー・ダイオード・モジュールは、業界をリードする集積度とパッケージを提供します。システムのサイズと重量を縮小し、システムの総コストを削減します。

  • 順方向と逆方向のリカバリーが実質的にゼロ=スイッチとダイオードのスイッチング損失が減少
  • 温度に依存しないスイッチング動作=安定した高温性能
  • VFの正の温度係数=並列運転の容易さ
  • 使用可能なジャンクション温度175oC = より高い温度でも安全に使用可能

マイクロセミ 注目製品

品番
構成
VDS (V) VCE (V) VRRM (V)
Rds(on) (mW) VCEsat (V) VF (V)
電流 (A) Tc=80 C
パッケージ
MSCDC200H120AG
フルブリッジ
1200
1.5
200
SP6C
MSCDC50H1201AG
フルブリッジ
1200
1.5
50
SP1
MSCDC600A120AG
フェーズレッグ
1200
1.5
600
SP6C
MSCDC200A120D1PAG
フェーズレッグ
1200
1.5
200
D1P
MSCDC200KK120D1PAG
デュアル・コモン・カソード
1200
1.5
200
D1P
MSCDC50X1201AG
3相ブリッジ
1200
1.5
50
SP1
MSCDC200H70AG
フルブリッジ
700
1.5
200
SP6C
MSCDC50H701AG
フルブリッジ
700
1.5
50
SP1
MSC50DC70HJ
フルブリッジ
700
1.5
50
SOT227
MSCDC600A70AG
フェーズレッグ
700
1.5
600
SP6C
MSCDC200A70D1PAG
フェーズレッグ
700
1.5
200
D1P
MSCDC200KK70D1PAG
デュアル・コモン・カソード
700
1.5
200
D1P
MSCDC50X701AG
3相ブリッジ
700
1.5
50
SP1

エネルギー・電力設計サポート

あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。