イノサイエンス - INN650D080BS

在庫ありInnoscience 650V、29A GaN-on-Siパワートランジスタ、DFN、8 x 8パッケージ
RFPD
INN650D080BS: 650 V、29 A GaN-on-Si パワートランジスタ 

INN650D080BS: 650 V、29 A GaN-on-Si パワートランジスタ 

650V GaN-on-Siliconエンハンスメントモード・パワートランジスタ、8mm×8mmサイズのDFN（Dual Flat No-lead）パッケージ。
ご注文 / 詳細
  • 特徴
  • エンハンスメント・モード・トランジスタ-通常オフの電源スイッチ
  • 超高スイッチング周波数
  • 逆回収チャージなし
  • 低ゲート電荷、低出力電荷
  • JEDEC規格に準拠した産業用アプリケーションに適合
  • ESD保護装置
  • RoHS、鉛フリー、REACH対応
  • 工事内容
  • AC-DCコンバータ
  • DC-DCコンバータ
  • BCM/DCM トーテムポール PFC
  • 高速バッテリー充電
  • 高密度電力変換
  • 高効率電力変換
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  • 仕様
パラメータ
価値
VDS,max
650V
RDS(on),max @ VGS = 6 V
80mΩ
QG,typ @ VDS = 400 V
6.2nC
ID、パルス
58A
qoss @ VDS = 400 V
60nC
Qrr @ VDS = 400 V
0nC

エネルギー・電力設計サポート

あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

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専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。
 
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