新マイクロチップ第7世代IGBTパワーモジュール

電力能力の向上、電力損失の低減、コンパクトなデバイスサイズが特徴
Microchip IGBT 7 パワーモジュール - 汎用アプリケーション向け高電圧、低損失ソリューション

Microchip IGBT 7 パワーモジュール - 汎用アプリケーション向け高電圧、低損失ソリューション

発見 マイクロチップマイクロチップ社の汎用IGBT 7パワーモジュールは、電流容量の増加、低損失、高効率を複数のパッケージオプションで提供します。1200V~1700Vの電圧と900Aまでの電流をカバーするこれらのモジュールは、多様なアプリケーションにパワー、精度、性能を提供します。

マイクロチップ

IGBT 7 ポートフォリオ - マイクロチップ

新しい IGBT 7 ポートフォリオは、49 種類の部品からなる 7 つのパッケージで提供されます。これらのデバイスは、従来のレガシー世代と比較して、VCE(sat)およびVfが低く、Tj 175℃での過負荷容量、50%高い電流能力、dv/dtの制御性の向上、フリーホイール・ダイオードのソフトネスの改善、駆動の簡素化を特徴としています。

IGBT 7 パワー、パフォーマンス、精度

デバイスの特徴

  • より低いオン電圧VCE(sat)とVf
  • Tvj,op=175℃における過負荷能力
  • dv/dtの制御性向上
  • 改良型フリーホイール・ダイオード
  • シンプルな運転に最適化

応募特典

  • ~IGBT4に対して50%高い電流
  • フレームサイズジャンプ
  • パラレリングの必要性を低減
  • EMI問題の減少
  • 低中速域をカバー
  • ~IGBT4に比べて損失が15%低い

お客様のメリット

  • 高出力密度
  • システム・コストの削減
  • 高効率
  • 信頼性と耐久性
  • 使いやすさ
  • 市場投入までの時間を短縮

追加 リソース

プレイリスト

ビデオ1本

エネルギー・電力設計サポート

あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。