ウルフスピード - EAB450M12XM3

車載仕様1200V、450A SiC伝導最適化ハーフブリッジモジュール
ウルフスピードの新製品 - EAB450M12XM3

ウルフスピードの新製品 - EAB450M12XM3

ウルフスピードは、62mmモジュールのベースプレート互換性を維持しながら、電力密度に敏感なアプリケーションに炭化ケイ素の利点を提供するHMパワーモジュールプラットフォームを開発しました。HMプラットフォームのSiC最適化パッケージングにより175℃の連続接合動作が可能となり、高信頼性窒化ケイ素(Si3N4)パワー基板により過酷な条件下での機械的堅牢性を確保し、軽量なAlSiCベースプレートを採用しています。HM3は、産業用試験装置、医療用電源、航空宇宙、トラクション・ドライブなどの要求の厳しいアプリケーションに最適です。

  • 高電力密度フットプリント
  • 高ジャンクション温度(175 C)動作
  • 低インダクタンス(6.7nH)設計
  • 伝導を最適化した第3世代SiC MOSFET技術を導入
  • 窒化ケイ素絶縁体と銅ベースプレート

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当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。