GaNシステム - GS-065-030-2-L

設計者は最大3kWのアプリケーションで低コストのGaNを活用できるようになる
新製品:GaN Systems 650V GS-065-030-2-L

新製品:GaN Systems 650V GS-065-030-2-L

GS-065-030-2-Lは、設計者が3000W出力レベルまでのアプリケーションで低コストGaNの利点を得ることを可能にする市場初のGaN製品です。この新しい部品は、GaN Systemsの低コストGaNトランジスタ・ファミリーに追加され、消費者、産業、データセンターの顧客からの新たな要求に応えるため、設計の柔軟性とコスト効率を向上させ、効率、熱管理、電力密度の性能向上において、設計者が次のステップに進むことを可能にします。

  • 650Vエンハンスメントモード・パワートランジスタ
  • 底面冷却、小型8 x 8 mm PDFNパッケージ
  • RDS(on) = 50 mOhm
  • IDS(max) = 30 A
  • シンプルなゲート駆動要件 (0 V~6 V)
  • 過渡耐性ゲートドライブ(20/+10 V)
  • 非常に高いスイッチング周波数 (> 10 MHz)
  • 高速で制御可能なフォールタイムとライズタイム
  • ゲート駆動を最適化するソース・センス(SS)ピン
  • 逆導通能力
  • 逆回復ロスゼロ
  • RoHS 3(6+4)準拠
  • ブリッジレス トーテムポール PFC
  • 民生用、産業用、データセンター用高密度電源
  • ハイパワーアダプター
  • LED照明ドライバー
  • 家電および産業用モーター・ドライブ
  • ソーラー・インバータ
  • 無停電電源装置
  • レーザードライバー
  • ワイヤレス給電

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専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。