SiCの在庫: TO-247パッケージ、1200 V、32 mΩ SiC MOSFET

ウォルフスピードは、業界で最も信頼性が高く、最高性能の1200VパワーMOSFETファミリを発表することにより、SiC技術におけるリーダーシップを拡大しました。本製品は第3世代プレーナMOSFET技術に基づき、外付けダイオードを追加することなく第3象限動作が可能な堅牢なボディダイオードを内蔵しています。この新ファミリーは、ディスクリート・パッケージで1200Vの低Rds(on)を実現し、温度に対してフラットなRds(on)を実現しています。ウォルフスピードは、ハードスイッチング性能を向上させるため、CGS/CGD比を高めた第3世代MOSFETを設計しました。ソフトスイッチング・アプリケーションも、よりリニアなCOSS動作から恩恵を受けることができます。設計者は、シリコンベースの3レベルトポロジから、スイッチング性能の向上により可能となったよりシンプルな2レベルトポロジに移行することで、部品点数を削減することができます。