市場投入までの時間を短縮する開発ツール

Richardson RFPDのグローバルFAEチームと連携し、Microchip社だけでなく、業界をリードする多くの企業のSiCモジュールとのコンフィギュレーションをサポートします。
炭化ケイ素(SiC)ゲートドライバ開発キット

炭化ケイ素(SiC)ゲートドライバ開発キット

Microchip社の加速SiC(炭化ケイ素)開発キットには、SiCモジュールとシステムの性能を最適化するために必要なハードウェアとソフトウェアが含まれています。Microchip社のASDAK開発キットでは、すべてのASDAK+キットに含まれる多くの互換性のあるSiCモジュールやSp6LI低インダクタンスSiCモジュールファミリを自由に使用できます。

特徴

  • 1200Vおよび1700VのSiCパワーモジュールに対応
  • インテリジェント・コンフィギュレーション・ツール(ICT)付属
  • キットはパワーモジュール付きとパワーモジュールなしの両方があります。
  • ASDAK-MSCSM & ASDAK-2ASC キット

    ASDAK-MSCSMキットには以下が含まれます:

  • SiCパワーモジュール
  • 2ASCシリーズコア1基
  • SP6CA1モジュール・アダプター・ボード(MAB)1枚
  • ワンプログラミングキット(ASBK)
  • ASDAK-2ASCキットには以下が含まれます:

  • 2ASCシリーズ・コア3基
  • モジュール・アダプター・ボード(MAB)1枚
  • ワンプログラミングキット(ASBK)
  • 開発キット
    ドライバー・コア
    モジュール・アダプター・ボード
    コア電圧 (V)
    モジュール電圧 (V)
    SiCモジュール
    ASDAK-MSCSM120AM02CT6LIAG-01
    1 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    1200
    MSCSM120AM02CT6LIAG
    ASDAK-MSCSM120AM03CT6LIAG-01
    1 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    1200
    MSCSM120AM03CT6LIAG
    ASDAK-MSCSM120AM042CT6LIAG-01
    1 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    1200
    MSCSM120AM042CT6LIAG
    ASDAK-MSCSM70AM025CT6LIAG-01
    1 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    700
    MSCSM70AM025CT6LIAG
    アスダック-2ASC-12A1HP-62
    3 × 2ASC-12A1HP
    1 × 62CA1
    1200
    最大1200ドル
    アスダック-2ASC-17A1HP-62
    3 × 2ASC-17A1HP
    1 × 62CA4
    1700
    1700まで
    ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI
    3 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    最大1200ドル

    SiC&IGBTゲートドライバモジュール

    SiCゲートドライバコアとモジュールアダプタボード

    • ソフトウェアで設定可能な±Vgsゲート電圧
    • 特許取得済みの拡張スイッチング技術
    • 堅牢な短絡保護
    • ノイズに対する高い耐性

    SiCプラグアンドプレイ・ゲート・ドライバ

    • 62 mm SiC MOSFETモジュールに対応
    • アプリケーションの要件に合わせて設定可能なソフトウェア
    • 温度および絶縁高電圧モニタリング
    • 自動車用コンポーネント

    IGBTゲートドライバ

    • マルチレベルのターンオフ時間と電圧レベル
    • 脱飽和時間と電圧レベル
    • ゲート駆動電圧 +15V/-10V
    • ピークゲート電流±30A
    • 3.3 kVまでのIGBT
    • シングル・チャンネル、出力7W

    エネルギー・電力設計サポート

    あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

    専門家チームについて

    当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。