Wolfspeed WolfPACK™ 炭化ケイ素パワーモジュール

発売開始新しい2300VウルフスピードWolfPACK™炭化ケイ素パワーモジュール

WolfspeedのWolfPACK™モジュールは、コンパクトで業界標準のフットプリントで効率と電力密度を向上させたい設計者に最適です。

Wolfspeed WolfPACK™ 炭化ケイ素パワーモジュール

ウォルフスピードは、中電力アプリケーションの要件を満たすベースプレートレスモジュールファミリーを発売し、パワーエレクトロニクスの連続体にわたるソリューションを提供します。ウォルフスピードのWolfPACK™モジュールは、コンパクトで業界標準のフットプリントで効率と電力密度を向上させたい設計者に最適です。

ウルフスピード

新登場！2300 V WolfPACK™ パワーモジュール

1500Vバス・アプリケーション向けに特別に設計され、IGBTベースの3レベル・アーキテクチャから簡素化された2レベル電力変換システムへの移行を可能にします。

ウルフスピード

1200 V WolfPACK™ パワーモジュール

迅速な設計実装、拡張性、長期的な設計サポート、アセンブリ・オーバーヘッドの低減のための優れたソリューションを提供するように設計されています。

ウルフスピード

評価ツール

ウォルフスピードは、炭化ケイ素ディスクリートおよびモジュール・パッケージの能力をよりよく理解していただくために、幅広い評価キットを提供しています。

WolfPACK™モジュールウルフスピードより

主なメリット

最大出力密度

レイアウトと組み立ての容易さ

システムの拡張性と信頼性

冷却システムの簡素化とシステムの小型化

主な特徴

業界標準のフォーム・ファクターで業界をリードする炭化ケイ素MOSFET技術

市販されている中で最高定格電流のトポロジー

NTC内蔵

プレスフィット接続

Wolfspeed WolfPACK™モジュールは、現在ハーフブリッジと6パック構成があります。

新登場！2300 V WolfPACK™ モジュールウルフスピード製

ウルフスピードの2300V WolfPACK™炭化ケイ素パワーモジュールは1500Vバスアプリケーション用に特別に設計され、IGBTベースの3レベルアーキテクチャから簡素化された2レベル電力変換システムへの移行を可能にします。このソリューションは、システム設計をレガシー・バスバーから低コストのPCBに移行することにより、開発時間とコストを大幅に削減します。

品番	パッケージ (V)	構成	ブロッキング電圧	現在の評価	RDS_{(on) @ 25°C}	世代	最高ジャンクション温度	モジュールサイズ	新しいデザインはいかがですか？
CAB5R0A23GM4T	GM	ハーフブリッジ（AlN基板）	2300 V	200 A	5 mΩ	第4世代MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	はい
CAB5R0A23GM4	GM	ハーフブリッジ（AlN基板）	2300 V	200 A	5 mΩ	第4世代MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	はい
CAB6R0A23GM4	GM	ハーフブリッジ（AlN基板）	2300 V	200 A	6 mΩ	第4世代MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	はい
CAB6R0A23GM4T	GM	ハーフブリッジ（AlN基板）	2300 V	200 A	6 mΩ	第4世代MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	はい
CAB7R5A23GM4T	GM	ハーフブリッジ（AlN基板）	2300 V	170 A	7.5 mΩ	第4世代MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	はい
CAB7R5A23GM4	GM	ハーフブリッジ（AlN基板）	2300 V	170 A	7.5 mΩ	第4世代MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	はい

1200 V WolfPACK™ モジュールウルフスピード製

品番	パッケージ (V)	構成	ブロッキング電圧	現在の評価	RDS_{(on) @ 25°C}	世代	最高ジャンクション温度	モジュールサイズ	新しいデザインはいかがですか？
CAB011A12GM3T	GM	ハーフブリッジ	1200V	141A	11mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	はい
CAB006M12GM3	GM3	ハーフブリッジ	1200 V	200 A	6 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 56.7 mm	はい
CAB006A12GM3	GM3	ハーフブリッジ（AIN基板）	1200 V	200 A	6 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 56.7 mm	はい
CAB006M12GM3T	GM3	ハーフブリッジ	1200 V	200 A	6 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 56.7 mm	はい
CAB006A12GM3T	GM3	ハーフブリッジ（AlN基板）	1200 V	200 A	6 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 56.7 mm	はい
CAB008A12GM3	GM3	ハーフブリッジ（AIN基板）	1200 V	194 A	8 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 56.7 mm	はい
CAB008M12GM3	GM3	ハーフブリッジ	1200 V	146 A	8 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 56.7 mm	はい
CAB008M12GM3T	GM3	ハーフブリッジ	1200 V	160 A	8 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 56.7 mm	はい
CAB008A12GM3T	GM3	ハーフブリッジ	1200 V	181 A	8 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 56.7 mm	はい
CAB011M12FM3	エフエムスリー	ハーフブリッジ	1200 V	105 A	11 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 33.8 mm	はい
CAB011M12FM3T	エフエムスリー	ハーフブリッジ	1200 V	117 A	11 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	はい
CAB016M12FM3	エフエムスリー	ハーフブリッジ	1200 V	78 A	16 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 33.8 mm	はい
CAB016M12FM3T	エフエムスリー	ハーフブリッジ	1200 V	84 A	16 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	はい
CCB021M12FM3	エフエムスリー	6本パック（三相）	1200 V	51 A	21 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 33.8 mm	はい
CBB021M12FM3	エフエムスリー	フルブリッジ	1200 V	50 A	21 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	はい
CCB021M12FM3T	エフエムスリー	6本パック（三相）	1200 V	30 A	21 mΩ	第3世代	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	はい
CBB021M12FM3T	エフエムスリー	フルブリッジ	1200 V	48 A	21 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	はい
CCB032M12FM3	エフエムスリー	6本パック（三相）	1200 V	40 A	32 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 x 33.8 mm	はい
CBB032M12FM3	エフエムスリー	フルブリッジ	1200 V	39 A	32 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	はい
CCB032M12FM3T	エフエムスリー	6本パック（三相）	1200 V	30 A	32 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	はい
CBB032M12FM3T	エフエムスリー	フルブリッジ	1200 V	37 A	32 mΩ	第3世代MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	はい

評価ツールウルフスピードより

CRD25AD12N-FMC

ウルフスピードのWolfPACK SiCハーフブリッジパワーモジュールCAB011M12FM3およびCAB016M12FM3のスイッチング性能の評価と最適化に使用できる動的特性評価ツール。

EVAL-ADuM4146WHB1Z

EVAL-ADuM4146WHB1Zは、先進のウォルフスピード第3世代C3M™SiC MOSFETやパワーモジュールを駆動する際にADuM4146の性能を簡単に評価できるハーフブリッジゲートドライバボードです。ウォルフスピードのクランプ誘導負荷テストボードやハーフブリッジ評価ボード、差動トランシーバボードと組み合わせて使用します。

キットCRD-CIL12N-FMA

キットCRD-CIL12N-FMC

ウルフスピードのWolfPACK SiC 6パック（3相）パワーモジュールCCB021M12FM3とCCB032M12FM3のスイッチング性能の評価と最適化に使用できる動的特性評価ツールです。

キットCRD-CIL-12N-GMA

GM3モジュールフットプリントのウォルフスピードのWolfPACK™ SiCハーフブリッジパワーモジュールのスイッチング性能の評価と最適化に使用できる動的特性評価ツール。部品番号の下3桁に「GM」、2桁目に「A」が付くすべての部品番号を含む（例：CAB006M12GM3）

追加リソース

ウォルフスピード炭化ケイ素を搭載した産業用モーター

2024年9月23日

産業用低電圧モーター・ドライブ、サーボ・ドライブ、ヒートポンプ、エアコンを含む産業用電気モーターは、合わせて世界の年間消費電力の45％以上を占めている。

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エネルギー・電力設計サポート

あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。

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