トップサイド冷却(TSC)炭化ケイ素パワーデバイスの設計

トップサイド冷却(TSC)炭化ケイ素パワーデバイスの設計

2025年9月26日

炭化ケイ素

高電圧システムの設計者は、その本質的な温度特性やスイッチング性能から、パワーエレクトロニクスの用途が拡大している炭化ケイ素に注目しています。エンジニアは、限られた熱放散設計の可能性で厳しい電力密度制約をサポートできるマルチソースパッケージの必要性など、多面的なシステム設計要件に直面することがよくあります。

ウルフスピードは現在、車載および産業市場向けに周知のトップサイド冷却パッケージを商業リリースし、システム設計の選択肢を広げています。U2パッケージは、他社製MOSFETのドロップイン代替品として、650V~1200Vの設計をサポートする改良されたパッケージ沿面積により、既存の設計に柔軟な調達を可能にします。

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当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。