このホワイトペーパーでは、ウォルフスピードの第4世代炭化ケイ素（SiC）MOSFET技術に焦点を当て、ハイパワーエレクトロニクス用途向けに設計されていることを紹介しています。ウォルフスピードはSiC技術革新の遺産を基に、業界のベンチマークを再定義する最先端技術ソリューションを定期的に発表しています。Gen4のリリースに先立ち、第3世代SiC MOSFETは広範な使用ケースに対応する重要な設計要素をバランスさせ、ハードスイッチング・アプリケーションにおける充実した性能のベンチマークを設定しました。
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