このアプリケーションノートの目的は、Cree 社のワイドバンドギャップデバイスのユーザーに、高出力 SiC MESFET および GaN HEMT トランジスタの熱性能のガイドラインを提供することです。本書では、Cree 社がデータシートに記載されている熱抵抗値を決定するために使用している方法論について説明します。すべての半導体デバイスと同様に、SiC MESFET および GaN HEMT デバイスの信頼性は、最大動作チャネル温度に直接依存します。そのため、特に CW で動作し、大量の熱エネルギーを放散する製品については、特定の動作モードにおける最大チャネル温度がどの程度であるかを、高い信頼性をもって決定することが重要です。