ゲリラRF: GRF2133 超高ゲインLNA

ゲリラRF - GRF2133: 低雑音アンプ

0.1 - 2.7 GHz、ゲイン28.0 dB、+20.0 dBm P1dB、1.5 x 1.5 mm DFN-6

0.1～2.7GHzをカバー

について GRF2133は、スモールセル、セルラーブースター、ワイヤレスインフラ、その他の高性能アプリケーション向けの超高利得と0.85 dB以下の雑音指数を特徴とする広帯域リニアゲインブロック低雑音アンプです。

リニア・ドライバ、LNA、またはカスケード・ゲイン・ブロックとして構成することで、設計内でもプラットフォーム間でも高レベルの再利用が可能です。このデバイスは、1.8～5.0 Vの電源電圧で動作し、35～120 mAのIddq範囲が選択可能で、最適な効率と直線性を実現します。

すべてのゲリラRF製品は、RoHSに準拠した鉛（Pb）フリーのパッケージで提供され、適用除外は必要ありません。

周波数範囲	P1dB	ゲイン	IP3	雑音指数	バイアス電圧	バイアス電流
0.1 - 2.7 GHz	+20dBm	28 dB	+31 dBm	0.6 dB	5 V	60 mA

特徴

内部マッチング

無条件に安定

フレキシブル・バイアス

プロセスGaAs pHEMT

小型1.5 x 1.5 mm DFN-6パッケージ

アプリケーション

高ゲインLNA

セルラー・ブースター／リピーター

リニアドライバーアンプ

あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

リチャードソンRFPDには、さまざまなテーマで設計支援を提供する50人以上の技術リソースチームがあります。その数は数え切れないほどですが、私たちのサポートを代表する特定のトピックを取り上げました。