pSemi® コーポレーション村田製作所の子会社である pSemi® Corporation は、フロントエンドモジュール (FEM) の完全な統合を容易にする RF SOI (silicon-on-insulator) 技術の設計と開発の最前線にいます。この度、世界最小の集積 PA-LNA-SW Internet of Things (IoT) FEM である PE562212.
2.4 GHz SOI IoT フロントエンドモジュール pSemiから
PE562212の超小型設計は、PCBスペースの節約と、外部マッチングを必要としない50ΩI/Oインターフェースによる容易な基板配線を実現します。FEMはまた、IoT空間特有のあらゆる用途や環境条件に対して、優れたESD耐性と堅牢性を提供します。FEMは、使いやすさと最大限の柔軟性を目指して設計されています。
主な特徴
この製品はpSemi社のUltraCMOS®プロセスで製造され、SOI（シリコン・オン・インシュレーター）技術の先進形態として特許を取得しています。
- 最大+21 dBmの出力パワーを持つ統合PA
- デジタル・ゲイン・コントロール（15 dBレンジ、1 dBステップ
- 内蔵LNA（1.6 dB NF、typ.）と低損失バイパス・パス（0.6 dB、typ.）
- Bluetooth BDR（+21 dBm）とEDR（+15 dBm）の動作
- 低中スループットWi-Fi（MCS7）機能
- 必要な外付け部品は最小限（VCCとVDDのバイパス・キャップ）
- パッケージング - 超小型14リード1.8×1.8×0.63mm LGA（MSL3）
アプリケーション
Wi-Fiのような高データレートのアプリケーションを可能にするため、効率と直線性の両方を念頭に置いて設計されており、十分な直線電力と電力効率の微妙なバランスを保っている。
- スマートスピーカー
- スマート照明
- スマートサーモスタット
- 家庭用電化製品
- モノのインターネット機器
- レンジ・エクステンダー
- ワイヤレス・オーディオ
- ウェアラブル
- センサー
仕様
説明 | 2.4 GHz SOI IoT FEM | 最小周波数 | 2400 MHz |
|---|---|
最大周波数 | 2483.5 MHz |
P1dB/P0.1dB (dBm) | 21.0 / - |
アテンション・レンジ (dB) | 0-15 |
Attn ステップ (dB) | 1 |
Txゲイン (dB) | 23 |
Rxゲイン (dB) | 14.5 |
VDD 範囲 (V) | 3.0-3.6 |
パッケージ (mm) | 1.8×1.8×0.63 |
動作周波数 (GHz) | 2.4 |
Txゲインコントロール(dB) | 15 |
Txゲインステップ(dB) | 1 |
Rx NF (dB) | 1.6 |
バイパス損失 (dB) | -0.6 |
電源電圧 (V) | 3.0-3.6 |
PSAT (dBm) | 24 |
パッケージ | 14L LGA |
機能図
14リードの1.8×1.8×0.63mm LGAパッケージ（MSL3）を採用したPE562212は、スペースに制約のあるアプリケーション向けに特別に設計されたIoT FEMで、IoTデバイス・メーカーに優れた柔軟性と価値を提供します。
