高出力GaN HEMTが真空管の領域を争う

2021年5月30日

航空宇宙・防衛、通信

今日のミリ波トランスミッタで使用されている真空管は、GaN HEMT の脅威に直面している。Cree社のYifeng Wu氏とPrimit Parikh氏は、フィールドプレート、鉄ドープバッファ層、薄いAlN中間層を組み込んだ設計でGaNをリードし、30GHzで記録的なパワーを実現している。

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