MACOMとRadioCarbonによるGaN-on-SiCベースRFアンプの最適化

MACOMとRadioCarbonによるGaN-on-SiCベースRFアンプの最適化

2023年5月2日

航空宇宙・防衛

WolfspeedのGaN-on-SiC RFアンプの利点は、従来のGaAsベースアンプよりも優れた電力密度、信頼性、効率を提供することである。この論文では、GaN-on-SiCベースのRFアンプを4.4~5.0GHzのトロポスカッター・アプリケーション向けに最適化した。

本稿では、部品の選択、シミュレート環境での設計、シミュレート回路のハードウェアへの実装について概説する。主な開発目標は、リチャードソンRFPDが設計したRFフロントエンドに実装するコンパクトなパワーアンプ設計を行うことでした。下の図1は、CバンドSATCOM PAを例にしており、黄色の枠で囲んでいます。このトロポスキャッターPAは、4.4~5GHzで50WのCWを供給でき、ピーク対平均電力比10dBの条件下で3%以下のEVMという直線性が要求されます。

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