Ansteuerung von Microchip SiC MOSFETs

Ansteuerung von Microchip SiC MOSFETs

Juli 24, 2022

Gate-Treiber, Siliziumkarbid

Dieser Anwendungshinweis bietet eine Design-Anleitung für die richtige Auswahl der Gate-Source-Spannungen für die SiC-MOSFET-Produkte von Microchip sowie für die entsprechende Leistung und das Verhalten der Bauelemente.

Dieser Hinweis gilt für Microchip-Teilenummern des Typs MSCXXXSMAXXX.

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.