Verbesserung von Effizienz und Verlässlichkeit

Mit Wiener 3-Phasen-Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Microchip Vienna 3-Phasen-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) Referenzdesign

Microchip Vienna 3-Phasen-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) Referenzdesign

Optimieren Sie Ihre 3-Phasen-Leistungsfaktorkorrektursysteme (PFC) mit dem fortschrittlichen Wiener PFC-Referenzdesign von Microchip, das sich ideal für Ladegeräte für Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV) und Elektrofahrzeuge (EV) sowie für Hochleistungs-Schaltnetzteilanwendungen (SMPS) eignet. Dieses Design nutzt modernste Siliziumkarbid (SiC)-Technologie und setzt unsere mSIC™-MOSFETs und Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) ein, um einen beeindruckenden Wirkungsgrad von 98,6 % bei einer Leistung von 30 kW zu erreichen.

Mikrochip

Wien 3-Phasen-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) - von Microchip

Der Vienna Rectifier ist eine dreiphasige Dreistufen-Gleichrichter-Topologie, die für ihren hohen Wirkungsgrad und ihre geringe harmonische Verzerrung bekannt ist. Er wurde entwickelt, um Wechselstrom mit minimalen Verlusten in Gleichstrom umzuwandeln, was ihn zu einer hervorragenden Wahl für Anwendungen macht, die eine hohe Stromqualität und Zuverlässigkeit erfordern.

Design-Vorteile

Hoher Wirkungsgrad: Erreicht einen Wirkungsgrad von über 98 % und senkt den Energieverbrauch und die Betriebskosten

Geringe harmonische Verzerrung: Die dreistufige Topologie minimiert die gesamte harmonische Verzerrung (THD), um die Stromqualität zu verbessern und die Belastung der elektrischen Komponenten zu reduzieren

Verbesserte Zuverlässigkeit: mSIC™-MOSFETs und Dioden gewährleisten einen zuverlässigen, langfristigen Betrieb und minimieren die Wartungskosten

Eigenschaften

  • Optimiert für hohe Leistung für hocheffiziente 30-kW-Anwendungen
  • Hochentwickelte SiC-Bauteile, einschließlich 1200-V-mSiC-Dioden und 700-V-mSiC-MOSFETs mit hohen Avalanche-/Repetitiv-Fähigkeiten (Unclamped Inductive Switching, UIS)
  • Hochfrequenzbetrieb bietet hohe Effizienz bei einer Schaltfrequenz von 140 kHz
  • Eingangsspannungsbereich von 380/400VRMS, 50 Hz oder 60 Hz
  • Robuste Ausgangsspannung liefert stabile 700 VDC
  • Optimiertes PCB-Layout für Sicherheits- und EMI-Anforderungen
  • Präzise digitale Steuerung durch dsPIC33CH Digital Signal Controller (DSC)
  • Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +85°C
  • Über 98% Wirkungsgrad
  • Überspannungs-, Überstrom-, Kurzschluss- und Wärmeschutz

Lösungsdiagramm

EV-Ladegeräte

Das Design zielt auf Ladegeräte für Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV) und Elektrofahrzeuge (EV) ab und erreicht einen Wirkungsgrad von 98,6 % bei einer Ausgangsleistung von 30 kW.

Industriell

Entwickelt für verbesserte Sicherheit, Strombelastungsmanagement, mechanische Belastbarkeit und Störfestigkeit.

Datenzentrum

Entwickelt, um Wechselstrom mit minimalen Verlusten in Gleichstrom umzuwandeln, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen macht, die eine hohe Stromqualität und Zuverlässigkeit erfordern.

Zusätzliche Microchip SiC Technologie

Mit den digitalen SiC-Gate-Treibern von Microchip können Anwender die Schaltverluste reduzieren und die Systemdichte verbessern.
Microchip bietet ein komplettes Sortiment an Module Adapter Boards (MABs) und Gatetreiber-Cores an, die voll funktionsfähige Plug-and-Play-Gatetreiber-Boards ergeben.

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.