Bodo's WBG Veranstaltung/Tech Chat: Schutz von Leistungselektronik-Anwendungen mit SiC-basierten E-Sicherungen

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4. Januar 2023

Siliziumkarbid

Mit dem zunehmenden Hochspannungsanteil in Automobilen und industriellen Endgeräten steigt auch der Bedarf an Schutz. Die E-Fuse von Microchip, die durch die 700-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-Technologie ermöglicht wird, bietet eine schnellere und zuverlässigere Methode zum Schutz von Leistungselektronik-Anwendungen. E-Fuse-Lösungen können Fehlerströme Mikrosekunden schneller erkennen und unterbrechen als herkömmliche Ansätze. Schnelle Reaktionszeiten begrenzen den Spitzenfehlerstrom und verhindern, dass ein Fehlerereignis zu einem schweren Ausfall wird. In dieser Sitzung auf der Bodo WBG-Veranstaltung im November 2022 werfen Simon Tomkins, RFPD FAE von Richardson, und Ehab Tarmoon, Anwendungsingenieur bei Microchip, einen genaueren Blick auf diese E-Fuse-Technologie.

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.