Dieser Tech-Chat befasst sich mit den verschiedenen Gate-Ansteuerungsebenen, die für eine optimale Leistung von Silizium- (Si), Galliumnitrid- (GaN) und Siliziumkarbid- (SiC) Technologien erforderlich sind. Darüber hinaus diskutieren wir den Unterschied zwischen unipolaren und bipolaren Gate-Treibern und wie sich deren Konfigurationen unterscheiden.
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