Parallelisierung diskreter SiC-MOSFETs

Parallelisierung diskreter SiC-MOSFETs

22. August 2021

Siliziumkarbid

Wenn die Verwendung eines Leistungsmoduls in Ihrem Design nicht praktikabel ist, ist die Parallelschaltung von MOSFETs ein gängiger Ansatz. Dieser Tech-Chat befasst sich mit besonderen Überlegungen bei der Parallelschaltung von Siliziumkarbid-MOSFETs.

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.